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一种Al、F共掺杂ZnO基透明导电薄膜及其制备方法[发明专利]

来源：吉趣旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种Al、F共掺杂ZnO基透明导电薄膜及其制备方

法

专利类型：发明专利

发明人：马瑞新,王目孔,康勃,王永刚,赵素丽,章菊萍,王媛媛申请号：CN200910086165.4申请日：20090609公开号：CN101575697A公开日：20091111

摘要：本发明属于功能材料领域，涉及一种Al、F共掺杂的ZnO基透明导电薄膜及其制备方法。其特征是包括以下步骤：1)，首先制作ZAFO靶材，利用AlF、AlO和ZnO粉体，经过均匀混合后，分别制成不同F含量的ZAFO靶材；ZAFO靶材中含有0.5～3.0wt％的Al，0.82～3.28wt％的F，其余为ZnO；2)，将制作好的ZAFO靶材，安装在射频磁控溅射沉积设备真空室内，用机械泵、分子泵把真空室的真空度抽到压强小于3×10Pa，同时将基片温度加热到25℃～500℃；通过调节沉积工艺参数，采用射频磁控溅射在基片上制备ZAFO透明导电薄膜。本发明简化了镀膜工艺，改善了薄膜的导电性和可见光透过率。

申请人：北京科技大学

地址：100083 北京市海淀区学院路30号

国籍：CN

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