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一种形成氧化层和外延层的方法

来源：吉趣旅游网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201610537121.9 （22）申请日 2016.07.08

（71）申请人上海新昇半导体科技有限公司

地址 201306 上海市浦东新区泥城镇新城路2号24幢C1350室

（10）申请公布号 CN107591314A

（43）申请公布日 2018.01.16

（72）发明人三重野文健

（74）专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人余明伟

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

一种形成氧化层和外延层的方法

（57）摘要

本发明提供一种形成氧化层和外延层的方

法，通过UV照射在衬底表面形成牺牲氧化层，然后再利用氢源气体对具有牺牲氧化层的衬底进行表面处理，然后在同一腔室内进行外延层的生长，外延生长之后还可以继续氧化形成保护层。本发明方法的表面预处理和外延生长可以在同一反应腔室中原位完成，外延效率高，生产资源消耗较小。由于采用了UV照射，外延表面预处理过程可以采用比传统高温表面处理更低的温度，从

而避免了高温处理造成的晶圆翘曲变形等问题。

法律状态

法律状态公告日

2018-01-16 2018-01-16 2018-02-09

公开公开

实质审查的生效

法律状态信息

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说明书

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