具有多重栅极氧化物厚度的半导体器件的制造方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：具有多重栅极氧化物厚度的半导体器件的制造方法专利类型：发明专利

发明人：弗朗索瓦·赫伯特,萨曼·阿赫桑申请号：CN200510080422.5申请日：20050701公开号：CN1722407A公开日：20060118

摘要：通过调节栅极氧化物层的厚度以适应特定的工作电压来优化各种晶体管的各性能。实施方案包括通过初始沉积一个或多个其间有蚀刻的栅极氧化物层，从将要形成具有较薄栅极氧化物的晶体管的有源区域除去沉积的氧化物，以形成具有不同栅极氧化物厚度的晶体管，接着进行一个或多个热氧化步骤。实施方案包括通过初始沉积氧化物膜，从将要形成具有较薄栅极氧化物的低压晶体管的有源区域选择性除去沉积的氧化物，以形成包含具有两个不同的栅极氧化物厚度的晶体管的半导体器件，随后进行热氧化。

申请人：凌特公司

地址：美国加利福尼亚

国籍：US

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

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