一种制备超纯铟的装置及采用该装置制备的方法[发明专利]

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专利名称：一种制备超纯铟的装置及采用该装置制备的方法专利类型：发明专利

发明人：郑红星,彭巨擘,李明旭,伍美珍,钱权,张启旺,张云虎,

卢兴伟,陈丽诗,雷云,周京明

申请号：CN202010755349.1申请日：20200731公开号：CN111910086A公开日：20201110

摘要：本发明公开了一种制备超纯铟的顶端自吸式垂直区熔提纯装置与方法，该装置包括真空腔体，设于该真空腔体内的垂直区熔系统及上端的自吸系统；将装有4N/5N级铟原料的石英管安装至垂直区熔系统中，分别设置加热温度、冷阱温度，并通过导杆带动石英管上下移动，进行多道次垂直区熔，每循环进行n(n＝5‑10)道次垂直区熔提纯后，将石英管内顶端试样10％‑20％体积分数的铟金属熔化，通过自吸系统吸出。随后补充质量相同的铟原材料。完成3个循环共计3n次垂直区熔提纯过程后，取出并截取石英管两端各5％‑15％体积分数的试样，剩余中间区域试样进行重熔制样。本发明通过顶端自吸式垂直区熔装置与方法，能够实现6N级及以上不同等级纯度的超纯铟产品高效稳定生产。

申请人：云南锡业集团(控股)有限责任公司研发中心,上海大学

地址：650000 云南省昆明市高新区昌源中路49号

国籍：CN

代理机构：南京苏创专利代理事务所(普通合伙)

代理人：常晓慧

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