第４７卷第２期 ２０１８年２月 人 工 晶 体 学 报 ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＳＹＮＴＨＥＴＩＣ ＣＲＹＳＴＡＬＳ Ｖｏ１．４７ Ｎｏ．２ Ｆｅｂｒｕａｒｙ。２０１８ Ｃｅ：ＹＡＧ单晶复合红色荧光粉的制备 及其在白光ＬＥＤ上的应用 张景峰 ，向卫东 ，顾国瑞 ，邸小旋 ，梁晓娟 （１．同济大学材料科学与工程学院，上海２０１８０４；２．温州大学化学与材料科学学院，温州３２５０３５） 摘要：采用提拉法生长了Ｃｅ：ＹＡＧ单晶，并以Ｃｅ：ＹＡＧ单晶取代传统Ｃｅ：ＹＡＧ荧光粉用于制备白光发光二极管 （ＬＥＤ），研究了Ｃｅ：ＹＡＧ单晶厚度的变化对其色坐标、亮度、发光效率和色温的影响。由于４６０ ｎｍ蓝光芯片激发 的Ｃｅ：ＹＡＧ单晶白光ＬＥＤ缺少红光成分，采用流延法将红色荧光粉ＣａＡ１ＳｉＮ ：Ｅｕ 涂覆在Ｃｅ：ＹＡＧ单晶衬底上制 备白光ＬＥＤ。制备的白光ＬＥＤ色度随红粉含量的变化由冷白光逐渐向暖白光区域移动，色温逐渐降低、显色指数 上升。研究结果表明Ｃｅ：ＹＡＧ单晶复合红色荧光粉的方式可以应用于大功率ＬＥＤ照明。 关键词：Ｃｅ：ＹＡＧ单晶；ＣａＡ１ＳｉＮ３：Ｅｕ“；提拉法；白光ＬＥＤ；光学性能 中图分类号：０７３４．３ 文献标识码：Ａ 文章编号：１０００－９８５Ｘ（２０１８）０２－０２４０－０６ Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ｒｅｄ Ｐｈｏｓｐｈｏｒ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｄ ｏｎ Ｃｅ：ＹＡＧ Ｓｉｎｇｌｅ Ｃｒｙｓｔａｌ ａｎｄ Ｉｔｓ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｉｎ Ｗｈｉｔｅ ＬＥＤ ＺＨＡＮＧ Ｊｉｎｇ－ｆｅｎｇ ，ＸＩＡＮＧ Ｗｅｉ．ｄｏｎｇ ，ＧＵ Ｇｕｏ．ｒｕｉ ，ＤＩＸｉａｏ．ｘｕａｎ ，ＬＩＡＮＧ Ｘｉａｏ￣ｕａｎ。 （１．Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｔｏｎｇｊｉ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｈａｎｇｈａｉ ２０１ ８０４，Ｃｈｉｎａ； ２．Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｗｅｎｚｈｏｕ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｗｅｎｚｈｏｕ ３２５０３５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｃｅ：ＹＡＧ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｗａｓ ｇｒｏｗｎ ｂｙ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ ｍｅｔｈｏｄ，ａｎｄ Ｃｅ：ＹＡＧ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｆｏｒ ｗｈｉｔｅ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｉｓ ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ ｔｏ ｒｅｐｌａｃｅ ｔｈｅ ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ Ｃｅ：ＹＡＧ ｐｈｏｓｐｈｏｒ．Ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ ｃｈａｎｇｉｎｇ ｔｈｅ ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ ｏｆ Ｃｅ：ＹＡＧ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ ｔｈｅ ｃｏｌｏｒ ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅｓ，ｌｕｍｉｎａｎｃｅ，ｌｕｍｉｎａｎｃｅ ｅｆｉｃａｃｙ ａｎｄ ｆｃｏｒｒｅｃｔｅｄ ｃｏｌｏｒ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｒｅ ｓｔｕｄｉｅｄ．Ｂｅｃａｕｓｅ ｏｆ ｌａｃｉｎｇ ｒｅｄ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ ｉｎ ｔｈｅ ｗｈｉｔｅ ＬＥＤ ｗｉｔｃｈ ｅｘｃｉｔａｔｅｄ ｂｙ ４６０ ｎｍ ｂｌｕｅ ｃｈｉｐ，ｔａｐｅ－ｃａｓｔｉｎｇ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｉｓ ｕｓｅｄ ｔｏ ｃｏａｔ ＣａＡ１ＳｉＮ３：Ｅｕ ｒｅｄ ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｏｎ ｔｈｅ Ｃｅ：ＹＡＧ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｔｏ ｆａｂｒｉｃａｔｅ ｗｈｉｔｅ ＬＥＤ ｄｅｖｉｃｅ．Ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｉｎｃｒｅａｓｅ ｏｆ ｔｈｅ ｒｅｄ ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｓ，ｔｈｅ ｃｈｒｏｍｉｎａｎｃｅ ｏｆ ｔｈｅ Ｗｈｉｔｅ ＬＥＤ ｗａｓ ｓｈｉｆｔｅｄ ｆｒｏｍ ｃｏｏｌ ｌｉｇｈｔ ｔｏ ＷａＹＩＴＩ ｌｉｇｈｔ ａｒｅａ， ｃｏｒｒｅｃｔｅｄ ｃｏｌｏｒ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇｒａｄｕａｌｌｙ ｒｅｄｕｃｅｄ ａｎｄ ｃｏｌｏｒ ｒｅｎｄｅｒｉｎｇ ｉｎｄｅｘ ｇｒａｄｕａｌｌｙ ｒｉｓｅｄ．Ｔｈｏｓｅ ｒｅｓｕｌｔｓ ｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｅ｛ｈａｔ ｔｈｅ ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ ｒｅｄ ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｃｏａｔｅｄ ｏｎ Ｃｅ：ＹＡＧ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｈａｖｅ ｐｏｔｅｎｔｉｌ ａｐｐｌａｉｃａｔｉｏｎｓ ｏｒ ｈｉｇｈ—ｐｏｗｅｒｅｄ ｗｈｉｔｅ ＬＥＤ．ｆ Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：Ｃｅ：ＹＡＧ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ；ＣａＡ１ＳｉＮ３：Ｅｕｎ；Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ ｍｅｔｈｏｄ；ｗｈｉｔｅ ＬＥＤ；ｏｐｔｉｃａｌ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ １ 引 言 白光发光二极管（ＬＥＤ）具有绿色低碳、节能环保、高可靠性、视觉友好的特点而被视为照明光 基金项目：国家自然科学基金（５１１７２１６５） 作者简介：张景峰（１９７９一），男，浙江省人，博士研究生。 第２期 张景峰等：Ｃｅ：ＹＡ｛单晶复合 ｌｉ色荧光粉的制备及其在白光Ｉ Ｅ１） 的应Ｊ｝Ｊ ２４１ 源‘，住卜ｌｌｊ体照明、 乐器、背光源等领域有巨大的虚用前景 、日前市场ｆ：主流制备白光ＬＥＤ的办法是 结合商』¨Ｃｅ：、＿ＡＧ数包荧光粉 蓝光芯片，芯片发出的蓝光 ｊ荧光粉发出的黄光经叠加后形成白光 然而 这种办法通常是将荧光粉和环氧卡对脂混合后随接涂敷在芯片上，高输入电流（３５０／７５０／ｌ０００ ｍＡ）将导致器 件的 结温（１ ５０～２００℃），进而导致器件性能的退化和有机树脂的黄化等，最终使白光ＬＥＤ出现发光效率 下降、色度漂移、稳定性和寿命的缩觚 。为解决上述的问题，近年来人ｆ『】研究＿ｒ用Ｃｅ：ＹＡＧ陶瓷、微品玻 目前，这两类固体材料还存在粒度尺寸不易控制、制备 璃等代替荧光粉与环氧树脂应川于ｒｔ光ＬＥＤ 工艺比较繁琐、性能不够稳定的ｆ¨Ｊ题需要进一步的探索 ”。， ＹＡ（ 单品具彳『稳定的物化性能、透明性好、热导率高，随着生长工艺的成熟，成为口ｆ能替代Ｃｅ：ＹＡＧ荧 光粉心川ｌｒ白光ＬＥ１ｌ）的热门候选荧光材料之一Ｌ、’ 。 、用提拉法生长了Ｃｅ：ＹＡＧ单 ，研究了Ｃｅ：ＹＡＧ 。晶的结构与发光性能、将不同厚度的 晶片 ｌｎＧａＮ蓝光 ＩＬ，片耦合后，发现０．８ ＲｌＨＩ的单品片获得的白光 Ｉ，ＥＤ 有较高的发光效率（ＬＥ）， 足色温（ｃｃ－ｒ）较高，显色指数（ＣＲＩ）偏低 为解决这个问题，我们采用流 延法 将ＣａＡ１ＳｉＮ ：Ｅｔ－ 涂覆在０．８ １１１１１＂１的Ｃｅ：ＹＡＧ单晶衬底上，研究红粉浓度和驱动电流的变化对白光 Ｉ，Ｅ１）的发射光谱、色坐标、ＬＥ、ＣＣＴ、ＣＲＩ的影响 、 ２ 实 验 按（Ｃｅ Ｙｊ一 ） ＿ＩＬｌ Ｏ。！（ ＝０．０４）的化学计 比称量纯度为９９．９９９％ＡＩ ０ 、Ｙ ０ 、ＣｅＯ 粉末，采川提拉 法生Ｋ Ｃｏ：ＹＡＧ晶体 用ｌ １ １ １］方 的ＹＡＧ籽品提拉晶体，生长晶体具体参数为：晶转１５ ｒ／ｒａｉｎ，提 速率 约１．５ ｍｍ／ｈ，生长结束降温速牢为６０￣Ｃ／ｈ。生长的晶体 割成不同厚度并抛光后用于测试 ．将４ 厚度 的【： ＹＡ（ 晶片 ｌｎＧａＮ蓝儿－，心Ｉｔ－片封装成门光Ｉ，ＥＤ；采用流延法将红色荧光粉ＣａＡＩＳｉＮ ：Ｅｕ 涂．『！ｆｆ侄ｃｅ ：ＹＡ（； ．＾ｌＩ｛幸、ｆ底七许川红粉涂覆 品荧光材料与ｉ 用蓝光芯片匹配制备白光ＬＥＤ器件 果Ｊｔ Ｊ Ｂｌ·ｕｋｅｒ公· Ｄ８ Ａｄｖａｎ｛· ｘ射线衍射仪（ＸＲＤ）对品体结构进－７７ｉＪ￣１４试；采用ＨＯＲＩＢＡ Ｊｏｂｉｎ Ｙｙｏｎ公 司的●、ｌｕ｛ ｏＭａｘ＿４荧光光度计对样晶的激发和发射光谱进行测试，变温设备采用ＪａＭｓ公司的ＶＰＦ－８００液氮 低温ｆｆ【 潞器；采Ｊｔｊ卜海半导体照明Ｔ程技术研究中心的远方ＰＭＳ ５０系统测试电光源参数，扫描问隔５ ｉｌｌｎ， １描范ｆ｝习３８０～８００ １１１１１ ３ 结果与讨论 ３．１ Ｃｅ：ＹＡＧ单晶的ＸＲＤ分析 Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ／ｎｍ 图ｌ （ａ）提拉法生长的Ｃｅ：ＹＡＧ单晶Ｊ４，‘，（ｂ）Ｃｅ：ＹＡＧ的ＸＲＤ谱图 Ｆｉｇ．１ （ａ）Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈ ｏｆ ａｓ—ｇｒｏｗｎ Ｃｅ：ＹＡＧ ｓｉｎｇｌｅ（，ＩＴｓｔａｌ ｂｙ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ ｍｅｔｈｏｄ，（ｂ）ＸＲＤ ｐａｔｔｅｒｎ ｏｆ Ｃｅ：ＹＡＧ ｓｉｎｇｌｅ ｃｌｙｓｉａｌ ’ １（ａ）是用提拉法生长的Ｃｅ：ＹＡＧ单晶经切割抛光后的样品图，可以清晰地看到Ｃｅ：ＹＡＧ单晶具有良 ２４２ 人工晶体学报 第４７卷 好的透明度。图１（ｂ）所示的是Ｃｅ：ＹＡＧ单晶粉末样品的ＸＲＤ图谱，Ｃｅ：ＹＡＧ单晶粉末的ＸＲＤ衍射峰与 ＹＡＧ晶体的标准卡片（ＪＣＰＤＳ Ｎｏ．３３－００４０）几乎一致，无其它杂峰，样品的主衍射峰强度与标准卡片相比也 没有明显的变化，表明稀土元素ｃｅ¨的掺杂并未对ＹＡＧ晶体的主晶格产生影响，说明用提拉法生长了高质 量的Ｃｅ：ＹＡＧ单晶，其晶格取向一致，可以作为优良的光传播媒介。 ３．２ Ｃｅ：ＹＡＧ单晶的发光性能 图２（ａ）为Ｃｅ：ＹＡＧ单晶的吸收光谱，Ｃｅ：ＹＡＧ单晶在３４０ ｎｍ和４６０ ｎｍ处有明显的吸收峰，这是Ｃｅ“ 的特征吸收峰，分别对应其４ｆ的两个劈裂基态能级 Ｆ 和 Ｆ 到５ｄ激发态能级间的跃迁吸收。目前商用白 光ＬＥＤ使用的ＩｎＧａＮ蓝光芯片的发射波长为４６０ ｎｍ，Ｃｅ：ＹＡＧ单晶以中心波长为４６０ ｎｍ的宽吸收带说明 它能有效吸收蓝光芯片发射出的蓝光。由图２（ｂ）可以观察到，在４６０ ａｍ激发下，Ｃｅ：ＹＡＧ单晶的发光光谱 显示出在４５０～７００ ａｍ波长的宽发射峰，发光中心在５２８ ｎｌＴｌ，这也是典型的Ｃｅ¨离子的５ｄ ｆ能级间的跃 迁后的特征发射峰。图２（ｄ）为ｃｅ¨离子的能级图，在Ｃｅ：ＹＡＧ单晶中，由于电子的自旋耦合作用，ｃｅ¨离 子的基态４ｆ能级劈裂为 Ｆ 和 Ｆ 两个能级，在４６０ ｎｍ的蓝光下，电子从４ｆ能级跃迁到５ｄ能级，随后激发 态电子从５ｄ能级迅速跃迁回到基态４ｆ的两个劈裂能级 Ｆ 和 Ｆ，以，形成以５２８ ｌｉＢ为中心的宽发射带。为 了进一步研究Ｃｅ：ＹＡＧ单晶的发光性能，测试了Ｃｅ：ＹＡＧ单晶中ｃｅ¨的荧光寿命。如图２（ｃ），经过拟合发 现ｃｅ¨的荧光衰减曲线为典型的单指数方程：，＝１０ｅｘｐ（一ｔ／ｒ），，和，０分别代表时间为ｔ和０时的发光强 度， 为辐射衰减时间，测得的ｃｅ¨在Ｃｅ：ＹＡＧ单晶中的寿命为６２．８７ ｎｓ，这与商用Ｃｅ：ＹＡＧ黄色荧光粉是 相当的¨ ，表明Ｃｅ：ＹＡＧ单晶有望成为取代传统商业Ｃｅ：ＹＡＧ黄色荧光粉的发光材料。 Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ／ｎｍ 图２（ａ）Ｃｅ：ＹＡＧ单晶的吸收光谱，（ｂ）Ｃｅ：ＹＡＧ单晶的发射光谱， （ｃ）Ｃｅ：ＹＡＧ单晶中Ｃｅ¨寿命衰减曲线，（ｄ）Ｃｅ“能级图 Ｆｉｇ．２（ａ）Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ Ｃｅ：ＹＡＧ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ；（ｂ）ＰＬ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ Ｃｅ：ＹＡＧ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ； （ｃ）Ｃｅ ＰＬ ｌｉｆｅｔｉｍｅ ｄｅｃａｙ ｏｆ Ｃｅ：ＹＡＧ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ；（ｄ）Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ ｅｎｅｒｇｙ ｌｅｖｅｌ ｄｉａｇｒａｍｓ ｏｆ Ｃｅ“ ３．３ Ｃｅ：ＹＡＧ单晶的热稳定性能 荧光材料的热稳定性是ＬＥＤ应用中一个重要的参考因素，尤其对大功率ＬＥＤ来说，荧光材料的热稳定 性能会影响白光ＬＥＤ的光输出、显色能力和器件的稳定性。一般来说，随着温度的升高荧光材料的荧光强 蔓！ ！： ！ ｜ｆ Ｉ金 Ｉ： 煎 ｝ ）『 ，Ｊ Ｊｌ。 Ｊ！ 一一 一 兰 会逐渐的降低 Ｉ刘３（ａ）＿ｆＩ】（１））分别为（ ＹＡＣ单ｆ１ＩｌＩｆｌｌ商业Ｃｅ：ＹＡ（ 色荧光粉的 温光晰， ４６０ ｔⅢ 激 发１－，随符洲ｉＪ｛＝濉度ｆｌｙ Ｊｔ· ，ｔ 品和荧＿）Ｊ［：粉的强度逐渐降低．．由于｝ ｔ比ＬＥＤ Ｊ 作的条什卜温瞍ｉｉ］‘达 ２００ 】‘， Ｊｊ－匕 ２００℃Ｉｆ，ｊ 伏光材料的热稳定性足 常 喧要的性能参数 由降Ｉ ３（ａ）和（１１） ｆ．在４７８ Ｋ ｔｔ、ｆ，Ｃｅ：、Ａ（ ｆ 的荧光 度为起始强度的８０％， Ｉ：￣－ｆｆＨ Ｃｅ：ＹＡｃ 包荧光粉的荧光强度仅为起始强度的 ３０％ 这 …Ｊ Ｃｅ：ｙＡ（ ｆ ＾具有良好的热稳定性，川‘取代树脂或碓胶来匹配篮光芯片封装成 光Ｉ Ｅ１） 什，对制造人Ｊ＿ＪＪ 缸 光Ｉ Ｅ１）器件尤为 ｌ ３ ２９８～４７８ Ｋ变 ｌ光ｉ痔（ｄ）（：ｔ·：Ｙ｜、（； ，（Ｉ，）（： 、ＡＧ商、『Ｉ，佚尤粉 ｒ ３（ａ） Ｉ’ Ｉｔ，ｎｉｐ｛·Ｉ｜ａｌｕｒｅ一（１ＰＩｔ＋ ｈ Ｉ１１ ｔ ｌｌｉｆｓｓｉｌ｝ｎ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ（ Ｉ’ｔｈｅ（ ＹＡ（ ｓｉｔｌｇｌｅ（ ＋ｌｌｉｄ（Ｉ１）ｆ ｌｌＩｌ ‘‘ｉｉ （ ：、＾ ｐｌｍｓｐｈｏｒ ｉｎ ｔｈ｛ ｔｅｎｌｐ￣一ｉａｔｔＩｒＰ ｒｍＷ，ｔ ２９８－４７８ Ｋ ３．４不同晶片厚度的Ｃｅ：ＹＡＧ单晶ＬＥＤ的光电性能 图５ （Ｈ）（： ＹＡＧ ｒ ｆ 埘装 ”匕Ｉ川）的 发射ｊ匕 ；（１，）涂 红包佚比粉的 ｌＩｌｌＩｆ 的 ４ ０ 膛（ 、 、《 ｆ｝【ｌＩ 的包 １ Ｉ＇２１）器件的发目ｔ）匕ｉ ：（ｔ·） ：Ｉ州浓ｆ ｆｆ０ Ｉ ｉ ．４ （： ‘。‘）ｌ（１ｒ（’‘“、ｒ‘ｌｉ【ｌＩｌ ｓ【ｌｆ （ ：、Ａ【；ｓｉｎｇｌｅ 红粉涂 Ｉ 片制箭的ｒ１）匕Ｉ ＥＤ的Ｃ１Ｅ也 怀 Ｆｉｇ．５ （ａ）Ｅｌ ｓｐｅｃｔｒａ Ｉｌｆ ｔｌｔ｛ （：ｆ－：ＹＡ（ ｓｉｌｌｇＩｒ（’Ｉ）ｓｔａｌ ‘·Ｉ·、ｓｔｉｌＩ、～ｉＩ —Ｂａｓｅ｛Ｉ Ｗ Ｉ Ｉ） ａｔ ｄｉｆｔ｛、 ｌＩｔ Ｉ （·ｋｎｅｓｓ ｗ｜Ｉ ｒｓ—ｂａｓｅｄ ＷＩ，¨）ｓ：（Ｉ】）｝：Ｉ． ｔ ｔｒａ Ｉ）ｆ ｔｌ１ ｌ 【Ｉ ｔｄ．．ｓｐｈｏ￣ ｌａｋｔ、 ｆ Ｉ１ ｔｈｅ Ｃｅ：、ｉ、（ ｓｉｎｇｌｅ（－ｌ、ｓｌａｌ ｗａｔｉ· ：（（ ）【：Ｉ ‘‘‘ｌｌｔｌｌ‘（‘ｏｏｒ｛ｌｉｎａｔｅｓ ｏｆ ｔｈｅ ＷＩ＋ＥＩ｝｜Ｉ【ｄｉｆｅｒ’ｔ，＋ｎｌ ｒｔ ｌｉ ｐｔｍｓｐｌ１Ｉ＇ｒ｛！ｔｉｌｌ｛·ｔ ｆＩｔｎＩ１ｉｏｎｓ 为Ｊ 探究 长的Ｃｅ：、’Ａ（ 单晶 ｔ光ＬＥＩ）Ｉ 的滞 应用性：能，川ＩｎＧａＮ Ｉ ）匕芯片 ｊ小¨ 嫂（０．４ ｌ１１…、０．６ ｍⅢ、（）．８ ｎｌｌｌｌ、１．（）ｍⅢ）的ｃ 、＿ＡＬ：Ｉ 品片制｝ｆ｝ｆ ｔ光ＬＥＤ 什、 【 ４ 小 厚度｝ 片川备的 光 Ｉ，ＥＩ｝的色坐 ，随荇Ｃｅ：１’Ａ（：单晶片的 度增加，ｆ｝Ｉ Ｉ ｒＬ光芯片干¨（ ＹＡＧ １ 片封装成的ｆ 匕ｌＪＥ【） 什 的光效逐渐增ＪＪＩ１，色温币『１｛１Ｉｊ．包指数逐渐减小，因为随着品片的厚度增ＪＪＩ】，ｃｅ“的 城十｝Ｊ对增多，吸收的蓝光也 桃越多进 发 ．ｆ出的馥光成分逐渐增）ｊＩ１，导致品片的发光从蓝到白最终变成黄光…Ｉ刳４ Ｉ Ｉ以消晰地看到 制衙的Ｉ．Ｅ１）的包坐标随 Ｉ ＾片厚瞍的增『ＪｌＪ，色 标 近似线性移动往２０ Ｉｌ１．ｉｔ卜．制备的¨光Ｉ，ＥＩ）ｌ光效 人工晶体学报 第４７卷 最大为１２５ ｌｍ／Ｗ。但是当晶片厚度为１．０ ｍｍ时，白光ＬＥＤ的光略偏黄色，因此最佳厚度为０．８ ｍｍ，相应 的参数为：ＬＥ＝１１２．６ ｌｍ／Ｗ，ＣＣＴ＝６５７７ Ｋ，ＣＲＩ＝７１．９，对应的发射光谱如图５（ａ）所示。 ３．５红粉复合Ｃｅ：ＹＡＧ单晶白光ＬＥＤ的光电性能 由上述可知，用Ｃｅ：ＹＡＧ单晶制备的白光ＬＥＤ器件由较高的发光效率，然而得到的白光的显色指数偏 低、色温偏高，这是由于缺少红光组成导致的。采用流延法以Ｃｅ：ＹＡＧ单晶片为基底在其上涂覆不同浓度的 ＣａＡＩＳｉＮ ：Ｅｕ“红色荧光粉来改善白光ＬＥＤ中缺少红光的问题。最终，用红粉涂覆单晶荧光材料与商用蓝 光芯片匹配制备白光ＬＥＤ器件。如图５（Ｃ）的插图所示，这种结构在ＬＥＤ器件构造中具有提取背散射光子 及改善整体光输出的优势。其工作原理是Ｃｅ：ＹＡＧ单晶与红色荧光粉吸收蓝光芯片的蓝光发出黄光和红 光，然后复合发出白光。图５（ａ）和（ｂ）是Ｃｅ：ＹＡＧ单晶和涂覆红色荧光粉的单晶制备的ＬＥＤ器件的发射光 谱，通过对比可知，涂覆红粉后除了明显看到４６０ ｎｍ的蓝光发射，还能观察到５００～７００ ａｍ波长范围较宽的 荧光发射，相比于Ｃｅ：ＹＡＧ单晶的发射光谱有很明显的红光发射峰。通过改变涂覆红粉的浓度来研究ＬＥＤ 器件的发光性能，图５（Ｃ）是不同浓度的红粉涂覆单晶片制备的白光ＬＥＤ的ＣＩＥ色坐标图，表１为对应的光 电参数，随着红粉浓度的增加，色坐标逐渐从白光区移动至暖白光区最终向红光区移动。显然，当红粉的浓 度从０ｗｔ％增加到２５ｗｔ％时，ＬＥＤ发出的白光由冷白向暖白变化，相应的色坐标由（０．３０７４，０．３４５４）到（０． ３８８３，０．３９７７）变化，显示指数光效由６５７７ Ｋ降低到３９４７ Ｋ，光效由１１２．６ ｌｍ／Ｗ降低到８５．７ ｌｍ／Ｗ，但是显 示指数却由７１．９增加到８４．１。这些结果表明通过改变红粉浓度能轻易的改变ＬＥＤ器件的色性质。然而， 当红粉的浓度增加到３０ｗｔ％时，器件发出的光超出了白光区。因此红粉的最佳浓度为１５ｗｔ％，ＬＥ：９８．９ ｈｎ／Ｗ、ＣＣＴ＝４５４８ Ｋ、ＣＲＩ＝８２．９。 表１ 不同浓度的红粉涂覆单晶片制备的白光ＬＥＤ的光电参数 Ｔａｂｌｅ １ Ｏｐｔｉｃａｌ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｏｆ ｔｈｅ ｗｈｉｔｅ ＬＥＤｓ ｏｆ Ｃｅ：ＹＡＧ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｗｉｔｈ ｄｉｆｅｒｅｎｔ ｒｅｄ ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｓ 图６ 白光ＬＥＤ器件在不同电流下的发射光谱 Ｆｉｇ．６ ＥＬ ｓｐｅｃｔｒａ ｏｆ ｔｈｅ ｗｈｉｔｅ ＬＥＤｓ ｕｎｄｅｒ ｖａｒｉｏｕｓ ｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌ ｃｕｒｒｅｎｔｓ 为了研究制备的白光ＬＥＤ的色稳定性，测试了该白光ＬＥＤ器件在不同电流下的发射光谱，如图６所 示，相应的ＣＩＥ色坐标和ＣＣＴ数据列在表２中。当电流从２０ ｍＡ升到３００ ｍＡ时，ＣＩＥ色坐标发生了些许的 蓝移变化，从（０．３６２７，０．３８３７）移动至（０．３３３６，０．３４４９），相应的ＣＣＴ从４５４８ Ｋ变至５４５０ Ｋ，ＣＲＩ从８２．９ 降低到７９．０。这些结果表明生长的Ｃｅ：ＹＡＧ单晶具有出色的色稳定性能，用红色荧光粉复合Ｃｅ：ＹＡＧ单晶 第２期 张景峰等：Ｃｅ：ＹＡＧ单晶复合红色荧光粉的制备及其在白光ＬＥＤ上的应用 ２４５ 在大功率白光ＬＥＤ中具有潜在应用价值。 表２红粉涂覆单晶片制备的白光ＬＥＤ在不同电流下的光电参数 Ｔａｂｌｅ ２ ＥＬ ｄａｔａ ｏｆ ｗｈｉｔｅ ＬＥＤｓ ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｅ：ＹＡＧ ｓｉｎｅｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ ａｎｄ ｒｅｄ ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｕｎｄｅｒ ｖａｒｉｏｕｓ ｃｕｒｒｅｎｔ ４ 结 论 采用提拉法制备了Ｃｅ：ＹＡＧ单晶，研究表明，Ｃｅ：ＹＡＧ单晶荧光材料可被４６０ ｎｍ蓝光芯片有效激发，产 生的黄绿色宽发射峰位于４８０～７００ ｎｌＴｌ。利用Ｃｅ：ＹＡＧ单晶取代商用Ｃｅ：ＹＡＧ黄色荧光粉制备白光ＬＥＤ， 随着晶片厚度的增加，ＬＥＤ的色坐标逐渐向黄光区移动。当晶片厚度为０．８ ｍｍ时可获得比较平衡的白发 输出，但其显色指数偏低、色温偏高。采用流延法在单晶片上涂覆不同浓度的ＣａＡ１ＳｉＮ，：Ｅｕ¨红色荧光粉来 改善白光ＬＥＤ的显色性能，可以实现色温由冷白色到暖白色的可调。Ｃｅ：ＹＡＧ单晶作为替代Ｃｅ：ＹＡＧ黄粉 的白光ＬＥＤ荧光材料有良好的热稳定性，添加红粉后在不同的电流下（２０—３００ ｍＡ），制得的白光ＬＥＤ显示 出了优良的色稳定性。研究结果表明，红粉复合Ｃｅ：ＹＡＧ单晶是可以应用于白光ＬＥＤ的一种热门候选荧光 材料之一。 参考文献 Ｌａｆｏｎｔ Ｕ．，ｖａｎ Ｚｅｉｊ１．Ｈ．，ｖａｎｄｅｒ Ｚｗａａｇ．Ｓ．Ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇ ｔｈｅ Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ ｏｆ Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｌｉｇｈｔｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ ｖｉａ Ｓｅｌｆ－ｈｅａｌｉｎｇ Ａｐｐｒｏａｃｈｅｓ：Ａ ｒｅｖｉｅｗ ［Ｊ］．Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｏｎｉｒｃｓ Ｒｅｌｉｂｉａｌｉｔｙ，２０１２，５２（１）：７１－８９． ［２］ Ｃｈｅｎ Ｄ，Ｘｉａｎｇ Ｗ，Ｌｉａｎｇ Ｘ，ｅｔ １ａ．Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｇｌａｓｓ·ｃｅｒａｍｉｃ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ ｆｏｒ Ｗｈｉｔｅ ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ—Ａ ｒｅｖｉｅｗ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎｌａ ｏｆ ｔｈｅ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｓｏｃｉｅｔｙ，２０１５，３５（３）：８５９－８６９． ［３］ Ｗｅｉ Ｎ，Ｌｕ Ｔ，Ｌｉ Ｆ，ｅｔ ａ１．Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｅ：Ｙ３ Ａ１５ Ｏｌ２ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ ｆｏｒ Ｗｈｉｔｅ Ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ［Ｊ］．Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，２０１２， １０１（６）：０６１９０２． ａｎｇ Ｗ，Ｙａｎｇ Ｃ，ｅｔ ａ１．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ａｎｄ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ａ Ｈ２ Ａｎｎｅａｌｅｄ Ｍｎ—ｄｏｐｅｄ Ｙ３Ａ１５０１２：Ｃｅ“Ｓｉｎｇｌｅ Ｃｒｙｓｔｌ ａｆｏｒ ＷＬＥＤｓ ［４］ Ｇｕ Ｇ，Ｘｉ［Ｊ］．ＣｒｙｓｔＥｎｇＣｏｌｎｎｌ，２０１５，１７（２４）：４５５４－４５６１． ［５］ 陆神洲，杨秋红，徐峰，等．基于Ｃｅ：ＹＡＧ单晶的白光发光二极管性能研究［Ｊ］．光学学报，２０１２，３２（３）：２４６－２５１． ［６］ 金怀东，向卫东，梁晓娟，等．铈，钐掺杂ＹＡＧ微晶玻璃制备及光谱性能［Ｊ］．中国稀土学报，２０１Ｉ，２９（３）：３３１－３３６． ［７］ Ｚｈｏｎｇ Ｊ，Ｃｈｅｎ Ｄ，Ｚｈａｏ Ｗ，ｅｔ １ａ．Ｇａｒｎｅｔ—ｂａｓｅｄ Ｌｉ６ｃ山２Ｓｂ２Ｏｌ２：Ｅｕ“Ｒｅｄ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ：ａ Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ Ｃｏｌｏｒ－ｃｏｎｖｅｒｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉｌａ ｏｆｒ Ｗａｒｍ Ｗｈｉｔｅ Ｌｉｇｈｔ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｉｒｌａｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｃ，２０１５，３（１７）：４５００－４５１０． ［８］ Ｄｉ Ｘ，Ｈｅ Ｘ，Ｊｉｎｇ ａＪ，ｅｔ ａ１．Ｆａｃｉｌｅ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｅｕ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ ＹＡＧ：Ｃｅ Ｇｌａｓｓ Ｃｅｒａｍｉｃｓ Ｅｘｈｉｂｉｔｉｎｇ Ｈｉｇｈ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｓｔｂｉｌａｉｔｙ ａｎｄ Ｔｕｎａｂｌｅ ＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｆｏｒＷａｒｍＷｈｉｔｅ ＬＥＤｓ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＭａｔｅｒｉｌｓａ Ｓｃｉｅｎｃｅ：Ｍａｔｅｒｉｌａｓｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，２０１７，２８（１２）：８６１１－８６２０． ［９］ Ｚｈａｎｇ Ｘ，Ｙｕ Ｊ。Ｗａｎｇ Ｊ，ｅｔ ａ１．Ｆａｃｉｌｅ Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｕｌｔｒａｓｔａｂｌｅ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ Ｓｉｎｇｌｅ—ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｗｈｉｔｅ—ｌｉｈｔ－ｅｍｉｇｔｔｉｎｇ Ｐｈｏｓｐｈｏｒ－ｉｎ·ｇｌｓｓ Ｕｓｅｄ ａｆ０ｒ Ｈｉｈ－ｇｐｏｗｅｒ Ｗａｒｍ Ｗｈｉｔｅ ＬＥＤｓ［Ｊ］．ＡＣＳ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉｌａｓ＆Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ，２０１５，７（５１）：２８１２２－２８１２７． （下转第２６０页） ｒ｝ｒＬ ｒＬ 人工晶体学报 第４７卷 ：。 ＂ Ｄｏｍｉｎｋｏ Ｒ，Ｂｅｌｅ Ｍ，Ｇａｂｅｒｓｃｅｋ Ｍ，ｅｔ ａ１．Ｉｍｐａｃｔ ｏｆ Ｃａｒｂｏｎ Ｃｏａｔ—ｉｎｇ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ ｏｎ ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｎｃｅ ｏｆ ＬｉＦｅＰＯ４／Ｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎｌａ ｏｆＴｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，２００５，１５２（３）：Ａ６０７．Ａ６１０． Ｙｕｒｉ Ｊａｎｓｓｅｎ，Ｄｈａｍｏｄａｒａｎ Ｓａｎｔｈａｎａｇｏｐａｌａｎ，ｅｔ ａ１．Ｒｅｃｉｐｒｏｃａｌ Ｓａｌｔ Ｆｌｕｘ Ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ＬｉＦｅＰＯ４ Ｓｉｎｇｌｅ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ｗｉｔｈ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｄｅｆｅｃｔ Ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｓ ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ Ｍａｔｅｒ，２０１３，（２５）：４５７４４５８４． 任孟德，周海涛，张昌龙．桂林水热法生长纯相磷酸亚铁锂［Ｊ］．人工晶体学报，２０１４，４３（８）：１９４４．１９４７． Ｃｒａｉｇ Ａ Ｊ．Ｆｉｓｈｅｒ ａｎｄ Ｍ．Ｓａｉｆｕｌ Ｉｓｌａｍ．Ｓｕｒｆａｃｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｎｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｉｅｓ ｏｆ ＬｉＦｅＰＯ４：ｒｅｌｅｖａｎｃｅ ｔｏ ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ｂｅｈａｖｉｏｕｒ［Ｊ］． Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２ｏ０８．１８：１２０９—１２１５． Ｐａｒｋ Ｍ，Ｚｈａｎｇ Ｘ Ｃ，Ｃｈｕｎｇ Ｍ Ｄ，ｅｔ ａ１．Ａ Ｒｅｖｉｅｗ ｏｆＣｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｐｈｅｎｏｍｅｎａ ｉｎ Ｌｉ－ｉｏｎ Ｂａｔｔｅｒｉｅｓ［Ｊ］．Ｐｏｗｅｒ Ｓｏｕｒｃｅｓ，２０１０，１９５（２４）：１９０４－７９２９ （２０１３）４２４００９． ［２０］ Ｚｈｏｕ Ｆ，Ｋａｎｋ Ｋ Ｓ，Ｍａｘｉｓｃｈ Ｔ，ｅｔ ａ１．Ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ Ｂａｎｄ Ｇａｐ ｏｆＬｉＦｅＰＯ４ ａｎｄ ＬｉＭｎＰＯ４［Ｊ］．Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｃｏｍｍｕｎ，２００４，１３２（３／ ４）：１８１—１８６． ｌａｍ Ｍ Ｓ，Ｄｒｉｓｅｏｌｌ Ｄ Ｊ，Ｆｉｓｈｅｒ ＣＡ Ｊ，ｅｔ ａ１．Ａｔｏｍｉｃ—ｓｃａｌｅ Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ ｏｆ Ｄｅｆｅｃｔｓ，Ｄｏｐａｎｔｓ，ａｎｄ Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｉｎ ｔｈｅ ＬｉＦｅＰＯ４ Ｏｌｉｖｉｎｅ－ｔｙｐｅ ［２１］ ＩｓＢａｔｔｅｒｙ Ｍａｔｅｒａｌ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ Ｍａｔｅｒ，２００５，１７（２０）：５０８５￣０９２． ［２２］ Ｎｉｓｈｏｍｕｒａ Ｓ，ＫｏｂａｙａｓｈｉＧ，Ｏｂｏｙａｍａｋ，ｅｔａ１．Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｌ Ｖｉａｓｕａｌｉｚａｔｉｏｎ ｏｆＬｉｔｈｕｍＤｉｆｆｕｓｉｏｎｉｎ ＬｉＦｅＰＯ４［Ｊ］．ＮＡＴＭａｔｅｒ，２００８，７（９）：７０７— ７１１． １ｔｔ‘ …－“．ｉｉ¨ 一＿。＿¨ｌ¨。”Ｊｌｌ＿·’ ０ － …’”ＩＩｍ‘‘ ｍ‘‘ ｜‘．－ … 。’…… …‘‘‘…１．· ｍ‘’ …。‘‘…．＇‘‘… ’ｑｌｌＩ ，（上接第２４５页） ［１０］Ｃｈａｎｇ Ｍ Ｈ，Ｄａｓ Ｄ，Ｖａｒｄｅ Ｐ Ｖ，ｅｔ ａ１．Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ Ｒｅｖｉｅｗ［Ｊ］．Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｏｒｎｉｃｓ Ｒｅｌｉｂｉａｌｉｔｙ，２０１２，５２（５）：７６２－７８２． ［１ １］ Ｚｈａｎｇ Ｘ，Ｈｕａｎｇ Ｌ，Ｐａｎ Ｆ，ｅｔ ａ１．Ｈｉｈｌｇｙ Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ｓｔａｂｌｅ Ｓｉｎｇｌｅ·ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｗｈｉｔｅ—ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ ｆｏｒ Ｏｒｇａｎｉｃ－ｒｅｓｉｎ—ｆｒｅｅ Ｗｈｉｔｅ—ｌｉｇｈｔ－ ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ［Ｊ］．ＡＣＳ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ＆Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ，２０１４，６（４）：２７０９－２７１７． ［１２］Ｚｈａｎｇ Ｘ，Ｗａｎｇ Ｊ，Ｈｕａｎｇ Ｌ，ｅｔ ａ１．Ｔｕｎａｂｌｅ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ａｎｄ Ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ—ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ，Ｓｓｉｔｅ·ｐｒｅｆｅｒａｂｌｅ Ｄｉｓｔｉｒｂｕｔｉｏｎ ｏｆ Ｅｕ Ｉｏｎｓ ｉｎ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ ｆｏｒ Ｗｈｉｔｅ ＬＥＤｓ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ［Ｊ］．ＡＣＳ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ＆Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ，２０１５，７（１８）：１００４４—１００５４． ［１３］Ｈｕａｎｇ Ｊ，Ｈｕ Ｘ，Ｓｈｅｎ Ｊ，ｅｔ ａ１．Ｆａｃｉｌｅ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ ｏｆ ａ ｈｅｒＴｍａｌｌｙ Ｓｔａｂｌｅ Ｃｅ ：Ｙ３ＡＩ５Ｏｌ２ Ｐｈｏｓｐｈｏｒ—ｉｎ—ｇｌａｓｓ ｆｏｒ Ｗｈｉｔｅ ＬＥＤｓ［Ｊ］．ＣｒｙｓｔＥｎｇＣｏｍｍ， ２０１５，１７（３７）：７０７９－７０８５． ［１４］Ｌｅｅ Ｙ Ｋ，Ｌｅｅ Ｊ Ｓ，Ｈｅｏ Ｊ，ｅｔ ａ１．Ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｉｎ Ｇｌｓａｓｅｓ ｗｉｔｈ Ｐｂ·ｆｒｅｅ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌｓａｓ Ｐｏｗｄｅｒｓ ａｓ Ｒｏｂｕｓｔ Ｃｏｌｏｒ—ｃｏｎｖｅｎｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｏｆｒ Ｗｈｉｔｅ ＬＥＤ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ［Ｊ］．Ｏｐｔｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｓ，２０１ｒ２，３７（１５）：３２７６－３２７８． ［１５］Ｇｕ Ｇ，Ｘｉａｎｇ Ｗ，Ｙａｎｇ Ｃ，ｅｔ ａ１．Ａ Ｎｏｖｅｌ Ｓｉｎｇｌｅ－Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｗｈｉｔｅ—Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｔｂ ａｎｄ Ｍｎ Ｃｏ—Ｄｏｐｅｄ Ｌａｒｇｅ—Ｓｉｚｅｄ Ｙ３Ａ１５Ｏｌ２：Ｃｅ”Ｓｉｎｇｌｅ Ｃｒｙｓｔａｌ ｏｆｒ Ｗｈｉｔｅ ＬＥＤ［Ｊ］．Ｓｃｉｅｎｃｅ ｏｆ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉｌｓ，２０１６，８（７）：１３５４—１３６０．ａ ［１６］赵斌宇，梁晓娟，陈兆平，等．白光ＬＥＤ用Ｃｅ：ＹＡＧ单晶的光学性能与掺杂浓度分析［Ｊ］．高等学校化学学报，２０１３，３５（２）：２３０— ２３６． ［１７］Ｙａｎｇ Ｃ，Ｌｉａｎｇ Ｘ，Ｄｉ Ｘ，ｅｔ ａ１．Ｆａｃｉｌｅ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｃｈａｒａｃｔｅｉｒｓｔｉｃｓ ｏｆ Ｃｅ：ＹＡＧ Ｐｈｏｓｐｈｏｒ Ｇｌｓａｓ Ｔｈｉｃｋ Ｆｉｌｍｓ Ｃｏａｔｅｄ ｏｎ ａ Ｇｌａｓｓ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｆｏｒ Ｗｈｉｔｅ ＬＥＤｓ［Ｊ］．Ｃｅｒａｍｉｃｓ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，２０１６，４２（１３）：１４５２６—１４５３２． ［１８］Ｚｈａｎｇ Ｒ，Ｌｉｎ Ｈ，Ｙｕ Ｙ，ｅｔ ａ１．Ａ Ｎｅｗ－ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｃｏｌｏｒ Ｃｏｎｖｅｎｅｒ ｏｆｒ Ｈｉｇｈ—ｐｏｗｅｒ Ｗｈｉｔｅ ＬＥＤ：Ｔｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｅ ：ＹＡＧ Ｐｈｏｓｐｈｏｒ—ｉｎ－ｌｇａｓｓ［Ｊ］． Ｌａｓｅｒ＆Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｒｅｖｉｅｗｓ。２０１４，８（１）：１５８—１６４．
