半导体产业报告

一、 概述 1.1、 基本概念 1.1.1、半导体 1.1.2、晶圆 1.1.3、前、后道工序 1.1.4、光刻 1.1.5、线宽 1.1.6、封装

1.2、半导体产品分类 1.3、IC产品分类 1.4、IC制程 1.5、半导体产业链

二、 全球半导体产业现状及发展趋势 2.1、 全球晶圆代工业快速成长 2.2、 全球IC芯片制造业稳步发展 2.3、 全球IC封测产业持续增长 2.4、 全球半导体设备业稳步成长 2.5、中国半导体产业持续快速增长 三、 全球半导体市场现状及发展趋势 3.1、IC产品市场发展趋势 3.2、终端应用市场发展趋势 3.3、中国市场规模 3.4、各地区市场概况 3.4.1、亚太市场

3.4.2、日本市场 3.4.3、欧洲市场 3.4.4、美洲市场 四、主要半导体厂商介绍 1、美国 1.1、英特尔 1.2、 AMD 1.3、德州仪器 1.4、美国国家半导体 1.5、LSI Logic（逻辑）公司 1.6、安华高科技公司 1.7、Freescale（飞思卡尔） 1.8、美光科技 2、欧洲 2.1、意法半导体

2.2、英飞凌科技（奇梦达） 2.3、飞利浦半导体（NXP） 3、日本 3.1、东芝 3.2、瑞萨科技 3.3、NEC 3.4、富士通 3.5、松下电器 3.6、三洋电机 3.7、罗姆株式会社 3.8、索尼

3.9、三菱电机 3.10、信越化学 4、韩国 4.1、三星电子 4.2、Hynix（海力士） 5、中国 5.1、台积电 5.2、台联电 5.3、南亚科技 5.4、茂德科技 5.5、力晶 5.6、联发科技

6、新加坡：特许半导体 7、中国 7.1、中芯国际 7.2、上海宏力半导体 7.3、上海华虹NEC 7.4、上海先进半导体 7.5、和舰科技 8、半导体设备厂商 8.1、应用材料公司 8.2、东京电子（TEL） 8.3、ASML 8.4、KLA-Tencor 8.5、尼康精机（Nikon） 8.6、佳能（Canon）

8.7、大日本网屏（Dainippon Screen）

8.8、美国诺发系统公司（Novellus） 8.9、科林研发（Lam Research） 五、 全球半导体产业技术现状及发展趋势 一、 概述 1.1、 基本概念 1.1.1、半导体

半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的固体材料。典型的半导体材料有晶体硅和锗。它不同于导体、绝缘体的电路特性，其导电有方向性，使得半导体可用来制造逻辑线路，而使电路有处理信息的功能。

1.1.2、晶圆

晶圆，多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至更大规格。晶圆越大，同一圆片上可切割出的IC（集成电路）芯片就多，可降低成本，但要求材料技术和生产技术更高。

1.1.3、前、后道工序

IC（集成电路）制造过程中，晶圆光刻的工艺(即所谓流片)，被称为前道工序，这是IC制造的核心技术；晶圆流片后，其切割、封装、测试等工序被称为后道工序。

1.1.4、光刻

光刻是IC生产的主要工艺手段，指用光技术在晶圆上刻蚀电路。

1.1.5、线宽

线宽是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度，如5.0微米/3.0微米/0.8微米/0.35微米/0.18微米/0.13微米/90nm/65nm等，是IC制程工艺先进水平的主要指标。线宽越小，集成度就高，在同一面积上就集成更多电路单元。

1.1.6、封装

封装是指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。

1.2、半导体产品分类

目前的半导体产品可分为集成电路(IC)、分离式组件与光电半导体等三种。 （1）集成电路(IC)：即我们通常所说的“芯片”，是将一电路设计，包括线路及电子组件，做在一片硅芯片上，使其具有处理信息的功能，有体积小、处理信息功能强的特性。集成电路在计算机、通讯、精密电子(电子表、电子词典等)产品的使用广泛，其市场需要量大，更是产业界的宠儿。

（2）分离式半导体组件：指一般电路设计中与半导体有关的组件。常见的分离式半导体组件有晶体管、二极管、闸流体等。

（3）光电式半导体：指利用半导体中电子与光子的转换效应所设计出之材料与组件。主要产品包括发光组件、受光组件、复合组件和光伏特组件等。

1.3、IC产品分类

IC（集成电路）产品可分为四类：内存IC、微组件IC、逻辑IC、模拟IC。具体分述如下：

（1）内存IC：内存IC是用来储存数据的组件，通常用在计算机、电视游乐器、电子词典上。依照其数据的持久性(电源关闭后资料是否消失)可再分为挥发性、非挥发性内存。挥发性内存包括DRAM（动态随机存取存储器）、SRAM（静态随机存取存储器）；非挥发性内存则大致分为Mask ROM（光罩式只读存储器）、EPROM（紫外线抹除式只读存储器）、EEPROM（电子抹除式只读存储器）、Flash Memory（快闪式存储器）四种。

（2）微组件IC：指有特殊的数据运算处理功能的组件，有三种主要产品：微处理器（MPU）指微电子计算器中的操作数件，如计算机的CPU；微控制器（MCU）是计算机中主机与界面中的控制系统，如声卡、影视卡等的控制组件；数字讯号处理器（DSP）可将模拟讯号转为数字讯号，通常用于语音及通讯系统。

（3）模拟IC：低复杂性、应用面积大、整合性低、流通性高是此类产品的特色，通常用来作为语言及音乐IC、电源管理与处理的组件。

（4）逻辑IC：为了特殊信息处理功能(不同于其它IC用在某些固定的范畴)而设计的IC，目前较常用在电子相机、三维游戏、多功能传真机(如功能仿真、笔式输入的辨认)等。

1.4、IC制程

IC（集成电路）最重要的生产过程包括：开发EDA(电子设计自动化)工具，利用EDA进行集成电路设计，根据设计结果在硅圆片上加工芯片(主要流程为薄膜制造、曝光和刻蚀)，

对加工完毕的芯片进行测试，为芯片进行封装，最后经应用开发将其装备到整机系统上与最终消费者见面。

1.5、半导体产业链

半导体产业是指由集成电路(IC)、分离式元件与光电元件等设计、生产与制造过程而形成的整个产业。半导体产业从上游至下游通常可分为三种产业，一是与IC（集成电路）制造有直接关系的产业，包括晶圆制造业、IC制造业、IC封装业；二是辅助IC制造的产业，包括IC设计、光罩制造、IC测试、材料（晶圆材料、封装材料、半导体化学品）、导线架产业；三是提供IC制造支持的产业，如设备仪器、计算机辅助设计工具产业等。半导体产业上下游产业链结构示意图如下所示：

二、 全球半导体产业现状及发展趋势

半导体产业历来是高科技领域的一个重要分支，其发展水平代表了一个国家科技实力和未来经济增长的含金量。由于应用广泛，半导体产业是近半个世纪来全球发展最快的产业之一。

2.1、 全球晶圆代工业快速成长

据市调机构IC Insights指出，2006年全球晶圆代工业销售额突破200亿美元，较2005年提高17％，增长幅度明显优于2005年8％的增长率，甚至高于整体半导体增长水平（8.5%）。台积电仍拿下半壁江山，市占率达50％，并且拉大与第二名台联电之间的距离，而特许半导体则在微软Xbox 360、超微处理器等高阶产品订单的推动下，在2006年挤下中芯国际，居于第三位。2006年，全球晶圆代工业仍由4强掌控，即台积电、台联电、特许半导体和中芯国际，合计占86％的市场份额。

2.2、 全球IC芯片制造业稳步发展

据美国半导体产业协会（SIA）指出， 2006年全球IC芯片制造业增长8.0%，达2,082亿美元。并预测2007年有望增长8.5%，预计达2,259亿美元；2008年增长12%，达到2,530亿美元。未来几年全球IC芯片制造业将一路走高。2005至2008年间预计整体增长9.5%。

客观分析全球IC芯片制造业的发展趋势，目前IC芯片制造业的成长是由多个因素推动的，并不仅仅是依靠PC的需求推动的。业界普遍认为消费类电子产品、无线产品以及液晶电视将是推动未来IC芯片制造业发展的三大类终端产品。

2.3、 全球IC封测产业持续增长

美国市场研究公司Gartner表示，2006年全球IC封测市场已连续5年实现2位数增长，市场销售额比2005年增长25.7％，达190亿美元。并预测，全球IC封测市场2002年至2008年复合增长率为9.4%，IC封测年收入将由2002年的133.7亿美元增长到2007年的200亿美元、2008年的255亿美元。IC封测市场的驱动力主要来自IDM大厂（集成器件制造商）将越来越多的IC封测外包。2004年外包比例就达到50%，2007年预测将达到63%。全球前10大封测厂中6家为我国公司。前5大封测厂家成长幅度超过20%，显示出封测产业具备旺盛的生命力，是一个高速成长的产业，并且排名连续3年维持不变。封测产业还呈现高度集中的局面，前10大占据了大约60%的市场。（注：前十大封测厂依次为：日月光集团、美国Ankor（安靠）、硅品、新加坡STATS Chip PAC（新科金朋）、南茂、力晶、新加坡UTAC（联合科技）、京元电、马来西亚Carsem（嘉盛）、超丰电子）

2.4、 全球半导体设备业稳步成长

据SEMI(国际半导体设备及材料协会)称，尽管2005年全球半导体设备销售额减少11.3%，但2006年增长了18%，达到388亿美元。2007年半导体设备市场将会与2006年持平，2008年将有可能再次大幅度增长，有望达到441亿美元。原因是新的12英寸晶圆厂投资仍在增加，主要集中在亚太地区的DRAM和闪存领域。

2.5、中国半导体产业持续快速增长

随着海外半导体产业逐步向中国转移，以上海为核心的长江三角洲已成为亚洲最重要的半导体生产基地之一。市场分析公司IDC指出，未来5年中国的半导体产业将以两倍于全球半导体产业的速度增长。2005年中国集成电路(IC)产业总产量约300亿块，与2004年相比增长36.7%；销售收入约750亿元，同比增长37.5%。2006年总产量达355.6亿块，销售额达1006亿元，比2005年增长43.3%。预计到2010年，中国集成电路市场规模将达到13,518亿元，2005年到2010年复合增长率达28.9%。

中国的IC产业结构渐趋合理，并逐步向国外先进标准靠拢。封装业在整个IC产业链总值中的比例在下降，而IC设计业、晶圆制造业发展迅猛。2005年我国IC封装测试业收入约340亿元，同比增长约20.3%；而IC设计业和晶圆制造业的收入分别约为131亿元和280亿元，同比增长60.8%和.5%。随着中国集成电路产业的快速发展，其在全球的地位正在逐年上升。

三、 全球半导体市场现状及发展趋势 3.1、IC产品市场发展趋势

IC产品市场的发展趋势如下：（1）2006年，在笔记本电脑的增长驱动下，微处理器市场的增长率比PC市场增速稍快，这是由于笔记本电脑使用平均售价比台式机更高的处理器。（2）2006年闪存市场增长15.9%达210亿美元，很大程度上来自NAND闪存的强劲增长(市场规模达162亿美元，增长42%)，这类产品用于MP3播放机和数码相机产品。由于手机制造商正转而使用DRAM和NAND闪存等其他类型存储产品，导致NOR闪存的增长缓慢(6.1%)。（注：2006年NAND增长42%，DRAM下降10.1%至230亿美元）。（3）数字信号处理器(DSP)2006年增长17.2% 达91亿美元，是半导体市场增长最快的领域。这是由于手机、3G手机以及高清晰度摄像机等广泛使用DSP芯片。

3.2、终端应用市场发展趋势

IT产品继续是目前半导体的最大终端市场，但消费电子产品将是未来半导体市场增长的主要推动力。消费电子市场中手机、数码相机、数字电视以及MP3播放器等产品的销量飙升，是导致全球半导体市场蓬勃发展的主要动力。

据美国半导体产业协会分析，2006年数码相机市场增长9%，手机市场增长13％，而数字电视和MP3播放器的增长幅度更高达52％左右。

同时，个人电脑市场仍然保持了稳步增长的态势，据统计2006年全球个人电脑产品销量比2005年增长了10.5％。

3.3、中国市场规模

目前，中国半导体产业已经构建了全球ICT产业链中最重要的环节，同时成为全球半导体市场增长的引擎。2005年中国的半导体消费市场增长了32%，达到408亿元，首次成为全球最大的地区性半导体市场。专家指出，随着设计活动日益活跃，市场对实现技术的需求不断增长，2006年中国电子制造市场的总价值飙升至3730亿美元，其中消费电子、计算机和通信这三个行业就消耗总值0亿美元的集成电路。

3.4、各地区市场概况 3.4.1、亚太市场

2005年，亚太地区半导体销售额增长16.5%，达到1,033亿美元，超过其它任何地区。2006年亚太地区半导体市场增长10.9%，市场规模达1,147亿美元。据SIA最近预测，2007年亚太地区半导体市场增长率将达10.2%，达1,2亿美元。2008年增长率为13.6%，销售额将达1,435亿美元。2005年到2008年间，亚太地区半导体市场预计总体增长11.6%，是半导体市场增长最快的地区。

3.4.2、日本市场

2006年日本半导体市场在2005年下降3.7%的基础上实现了6.7%的增长，市场规模达470亿美元。据SIA预测，2007年日本半导体市场增长率将达7.1%，达504亿美元。2008年增长率为10.7%，销售额将达558亿美元。2005年到2008年间，日本半导体市场预计总体增长8.2%。

值得一提的是，在全球10大半导体厂商中，日本厂商的销售收入最依赖其国内市场。东芝、瑞萨和NEC的大部分营收都来自日本国内市场（来自日本国内市场的销售额占到56-63%），彰显了这一现象。

3.4.3、欧洲市场

2006年欧洲半导体市场在2005年下降0.4%的基础上实现了0.9%的增长，市场规模达396亿美元。据SIA预测，2007年欧洲半导体市场增长率将达6.8%，达423亿美元。

2008年增长率为11%，销售额将达470亿美元。2005年到2008年间，欧洲半导体市场预计总体增长6.1%。

英飞凌、意法半导体和飞利浦半导体等欧洲芯片供应商的销售收入中很大一部分也来自于其国内市场。但意法半导体和飞利浦半导体来自亚太市场的销售额高于欧洲市场。

3.4.4、美洲市场

2006年美洲半导体市场在2005年增长4.3%的基础上继续增长了11.5%，市场规模达4亿美元。据SIA预测，2007年美洲半导体市场增长率达7.4%，达488亿美元。2008年增长率为10.7%，销售额将达0亿美元。2005年到2008年间，美洲半导体市场预计总体增长9.8%。

在美洲市场，韩国Hynix（海力士）半导体和三星的销售增长速度明显高于该地区的整体半导体销售额增长率。

四、主要半导体厂商介绍 1、美国 1.1、英特尔

英特尔是全球最大的芯片制造商，同时也是计算机、网络和通讯产品的领先制造商。它成立于 1968 年，具有 38 年的技术产品创新和市场领导的历史。1969年，英特尔首创了全球第一颗双极性集成电路存储芯片——比特存储器3101；1970年，研制出第一颗金属氧化物半导体（MOS）存储芯片1101，容量扩大到256比特。同年，代号为1103的动态随机存储器（DRAM）问世。1971 年，英特尔推出了全球第一枚微处理器。微处理器所带来的计算机和互联网，改变了这个世界。作为全球信息产业的领导公司之一，英特尔公司致力于在客户机、服务器、网络通讯、互联网解决方案和互联网服务方面为日益兴起的全球互联网经济提供建筑模块，包括微处理器、芯片组、板卡、系统及软件等。这些产品为标准计算机架构的组成部分。1985年，英特尔来到中国。英特尔亚太区总部在，在中国()设有13个代表处。在中国设有研究中心即英特尔中国实验室，由4个不同研究中心组成，于2000年10月宣布成立。2002年10月，英特尔公司宣布在深圳成立英特尔亚太区应用设计中心。

1998年，英特尔在上海建立起第一个封装/测试厂房，进行快闪存储芯片的封装和测试。目前英特尔在上海浦东有三个封装测试工厂，为快闪存储器、I845芯片组和奔腾4处理器提供基于0.13微米工艺的世界一流的封装与测试，并为全球提供最高性能处理器产品。最近该工厂又增添了封装 300 毫米晶圆组件的设备，并且具备了测试采用英特尔先进的 90纳米制程技术生产的组件的能力。

2003年，英特尔宣布在成都市投资建立一个工厂，用于封装和测试英特尔半导体产品。第一个工厂现已于 2005 年下半年建成投产。第二个工厂预计将于2005年开工，并于 2007 年初建成投产。成都工厂为采用英特尔65纳米制程技术制造加工的微处理器提供封装与测试。

2005年，英特尔在上海外高桥保税区投资建设的英特尔技术开发（上海）有限公司建成，该公司将致力于技术开发包括高级闪存工艺的开发。2007年3月26日英特尔宣布，将投资25亿美元在大连兴建其在亚洲的第一个晶圆厂，计划07年年底动工，2010年上半年投产，主要生产300毫米（12英寸）晶圆，工厂的初期生产主要专注于芯片组以支持英特尔的核心微处理器业务。

1.2、 AMD

AMD( 超威半导体 ) 成立于 1969 年，总部位于加利福尼亚州的森尼韦尔。AMD是个人和网络计算机及通信市场上的全球集成电路供应商，在美国、欧洲、日本和亚洲都设有制造厂。AMD 公司专门为计算机、通信和消费电子行业设计和制造各种创新的微处理器、闪存和低功率处理器解决方案。AMD 在全球各地设有业务机构，在美国、中国、德国、日本、马来西亚、新加坡和泰国设有制造工厂，并在全球各大主要城市设有销售办事处。 2006 年 AMD 的销售额达 75 亿美元。AMD 有超过 70% 的收入都来自于国际市场，是一家真正意义上的公司。迄今为止，全球已有超过 2,000家软硬件开发商、 OEM 厂商和分销商宣布支持 AMD 位技术。 在福布斯全球 2000 强中排名前 100 位的公司中，75% 以上在使用基于 AMD 皓龙? 处理器的系统运行企业应用，且性能获得大幅提高。

AMD产品系列：AMD 皓龙? 处理器、AMD 速龙? 处理器、AMD 双核速龙? 处理器、AMD 炫龙? 移动计算技术、AMD 闪龙? 处理器等。

2004 年 9 月， AMD 公司大中华区在京正式成立， AMD全球副总裁郭可尊女士任 AMD 大中华区总裁兼总经理，统辖 AMD 在中国、和地区的所有业务。AMD首开先河推出了高性能和无缝移植32位、位计算优势的技术；2005年，AMD再开行业之先河，推出了双核处理器。

2006年7月，全球第二大电脑芯片商AMD宣布以亿美元收购了全球领先的图形、视频、多媒体芯片提供商----加拿大ATI公司。ATI公司作为全球两大图形芯片厂商（另一厂商为美国Nvidia公司）之一，也是主要的主板芯片组厂商，为英特尔和AMD的处理器提供支持，它是英特尔唯一一家正式认可的芯片组供应商。分析认为，AMD和ATI的合并后将成为一家具有处理器、芯片组和图形芯片生产能力的全新公司，对英特尔的威胁系数大幅度提高。过去几年，借位和双核两大技术，AMD迅速崛起，并从英特尔手中抢占了大量的市场份额。对AMD而言，此次合并预示着一个全新的时代可能到来，AMD将以一个全新的势力面貌与英特尔对抗，英特尔的全球芯片霸主地位将受到严峻挑战。

AMD生产工厂：AMD 设于德国德累斯顿的 Fab 30芯片厂拥有先进的生产设施，可采用先进的 130 纳米工艺技术生产高性能的微处理器。Fab 30 芯片厂是欧洲首家采用铜连线工艺技术生产半导体的工厂，也是率先采用绝缘硅技术 (SOI) 进行生产的芯片厂。 2003年11月，AMD 宣布其300 毫米晶圆工厂（AMD Fab36）在德国破土动工。该工厂是AMD在德累斯顿的公司Fab 36 LLC & Co. KG的一部分，座落在德国德累斯顿临近AMD Fab 30工厂不远的地方。AMD 与富士通合资经营的多家芯片厂，其中包括设于美国德州奥斯汀的 Fab 25 芯片厂及设于日本 Aizu-Wakamatsu 的 JV1、JV2 及 JV3 等三间芯片厂。上述芯片厂全部采用 110、130 及 170 纳米技术生产创新的低电压 Spansion 闪存芯片。 AMD 有多家负责后端生产工序的工厂，他们分别设于中国苏州、马来西亚槟城、泰国曼谷及新加坡。 2004年4月，AMD宣布在中国设立新的封装测试厂----AMD（苏州）有限公司，此微处理器封装测试厂位于苏州工业园区，紧邻AMD于1995年斥资建立的闪存封装测试厂----FASL（飞索半导体）（苏州）有限公司。

1.3、德州仪器

德州仪器(Texas Instruments)，简称TI，是在数字信号处理器(DSP)、模拟技术(Analog) 以及混合讯号(Mix-Signal) 中全球领先的半导体供应商，也是推动因特网时代不断发展的半导体引擎。德州仪器为现实世界的信号处理提供创新的数字信号处理(DSP)及模拟器件技术。除半导体业务外，还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。TI总部位于美国得克萨斯州的达拉斯，并在25多个国家设有制造、设计或销售机构。在全球，德州仪器将第一颗IC带到世人面前，是半导体领域的先趋者、理工界精英聚集的殿堂，熏陶过如张忠谋等国际级企业领导者。TI目前的事业群，包括半导体、教育暨生产力解决方案、数字影像、传感与控制。

（1）半导体事业群：自1982年以来，即成为数字讯号处理(DSP)解决方案全球的领导厂商及先驱，TI以创新的DSP和混合讯号/模拟技术供应全球超过30,000个客户群，应用领域涵盖计算机、无线通讯、网络、Internet、消费性、数字马达控制与高容量储存等市场。（2）教育暨生产力解决方案事业群：TI是公认的手持式教育技术领导厂商，在绘图计算器市场尤有突出的实力。（3）数字影像事业群：数字光学处理技术运用在单一芯片上，使用超过500,000片超小型的镜子，将影像反射到屏幕上。（4）传感与控制事业群：提供精心设计的传感器与控制技术，为全球运输、家电、高压交流电、工业/商用和电子/通讯以及射频辨识（RFID）市场提供各种解决方案，也是这个市场的领导者。

市场地位：-TI为全球众多的最终用户提供完整的解决方案；TI在DSP市场排名第一；TI在混合信号/模拟产品市场排名第一 ；1999年售出的数字蜂窝电话中，超过半数使用的是TI的DSP解决方案。其中，诺基亚、爱立信、摩托罗拉、索尼等世界主要手机生产厂商均采用TI的DSP芯片；全球每年投入使用的调制解调器中，有三分之一使用TI的DSP。TI是世界上发展最快的调制解调器芯片组供应商；全球超过70％的DSP软件是为TI的DSP

解决方案而编写；TI占有北美图形计算器市场80%以上的份额；TI在世界范围内拥有6000项专利。

1.4、美国国家半导体

美国国家半导体公司1959年成立于美国加州圣克拉克，是世界知名的半导体公司，也是硅谷的创始公司之一。40多年来，公司一直活跃于全球半导体产业，包括多种模拟及混合信号集成电路产品的设计、开发和制造领域，并取得了巨大成功，产品誉满全球。作为全球领先的模拟技术供应商，美国国家半导体一直致力于开发高性能的模拟芯片及子系统。公司产品包括电源管理电路、图像技术、显示驱动器、音频、运算放大器、通信接口产品和数据转换等领域的元件和子系统，产品主要面向手机、显示器、个人电脑以及笔记本电脑等市场。各类产品数目高达15000种以上。

据分析公司Databean市场统计报告指出，美国国家半导体公司在电源管理、放大器、通信接口和数模转换器领域，分别位居1、2、3、4的地位。在电源管理市场，公司所占份额为29.6％，TI（德州仪器）、Linear（美国凌特公司---著名的模拟IC产品生产商）、Maxim（美国美信集成产品公司--国际领先的高品质模拟和混合信号产品供应商）紧随其后。在放大器市场，ADI（美国模拟器件公司）位居首位，其次是国家半导体、TI（德州仪器）、Maxim。在接口市场，TI（德州仪器）是绝对的领先者，占整个市场份额的42％。在转换器市场，国家半导体位于第四，但销售额和ADI（美国模拟器件公司）、TI（德州仪器）相比，差距还很大。

美国国家半导体分别在美国德州、英国苏格兰、马来西亚和苏州建立了晶圆制造厂和封装测试厂，以保证其在CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺技术、模拟双极工艺、测试方面的领先地位。在设立了亚太区总部和研发中心，上海作为其中国区总部，主要负责销售业务，而北京和深圳是两个销售点。

美国国家半导体在亚洲最大的封装测试生产基地---美国国家半导体（苏州）有限公司于2002年8月在苏州工业园区注册成立，主要从事半导体产品的研发和封装测试。首期厂房于2004年上半年完工投入使用，2004年7月首批制成品已正式付运。苏州厂日设计产能为100万芯片，目前仅仅利用产能的1/16。

1.5、LSI Logic（逻辑）公司

LSI Logic公司成立于1981年，总部位于美国加州Milpitas，致力于设计和生产高性能的、与数据存储、连接和语音、视频相关的消费类、通信类和存储类半导体产品。作为一家全球性运作公司，LSI Logic公司在中国拥有、北京、上海、深圳等分支机构。 LSI Logic公司是业界领先的从芯片到软件再到系统的完整解决方案供应商。 LSI Logic公司的年销售收入接近20亿美元，其中65％来自存储领域。

LSI作为存储技术的公认领导者，积极参与创建和发布了世界第一个SCSI芯片，随后率先上市SAS产品（Serial Attached SCSI，串行SCSI），在行业中领先应用4 Gb/s光纤通道存储阵列。在消费电子市场，LSI提供数码家庭DVD录像机、便携式媒体播放器、机顶盒、高清产品和专业视频创建及广播设备。最近，针对低功耗消费电子应用推出了新的应用处理器架构。

在存储市场，LSI作为卓越供应商，为全球主要服务器和存储厂商提供模块构建方案服务。产品包括定制芯片、存储标准产品、系统构建模块、RAID硬件和嵌入式软件解决方案。

LSI也是DVD录像机市场的领导者。2005年，公司的DoMiNo?产品已用于全球DVD录像机市场1400万台产品的45％（全球DVD录像机市场2006年有望上升至2200到2500万台）。

5年前LSI Logic拥有6个晶圆厂，现在只剩下一个。2006年LSI Logic卖掉了位于Gresham的最后一个晶圆厂--8英寸芯片制造厂，从而成为世界上第三大无晶圆厂半导体公司，其目的在于降低芯片制造成本及减少向90nm及65nm工艺技术过渡的风险。未来公司将加强与台积电、台联电和中芯国际的合作。

1.6、安华高科技公司

安华高科技公司(Avago)是2005年12月由安捷伦半导体事业部（安捷伦科技是世界一流的测量企业，提供重要的电子和生化分析测量工具，在电子、通讯、生命科学研究、环境及石油化工行业都处于领先地位）分拆出来后组成的公司。安华高科技公司是全球最大的非上市半导体公司，总部分别设在美国加州圣何塞和新加坡。安华高科技拥有5,500多种系列产品，主要生产用于手机、网络设备和打印机等各种产品的芯片，应用于无线和有线通信、工业、汽车、消费电子及存储和计算机等广阔的应用领域和终端市场；在光电耦合器、红外线收发器、光通信器件、打印机ASIC、光学鼠标传感器和运动控制编码器等领域一直保持市场前3名的领导地位。

1.7、Freescale（飞思卡尔）

50多年来，飞思卡尔一直是摩托罗拉的下属机构，2004年7月成为企业。一年之内即迅速上市，并实现扭亏为盈，成为标准普尔500及费城半导体指数成员。飞思卡尔是为无线、网络、汽车、消费与工业市场设计制造嵌入式半导体的全球领先供应商。作为美国第三大、全球第九大芯片制造商，飞思卡尔在众多市场领域成为领导者：第一大汽车半导造商、第一大通信处理器制造商、第二大通用微控制器制造商、数字信号处理器排名第二、第四大手机射频微处理器制造商。公司现有10,000多家客户，其中包括全球百强制造商。公司在30多个国家开展设计研发、生产和销售业务。拥有七家全资硅片制造厂、两家

组装测试厂和一条300毫米硅片试制生产线，在法国的Crolles与意法半导体（ST）和飞利浦公司共同拥有一个研发中心。

产品领域：8 位微控制器、16位微控制器、32 位微控制器与处理器、模拟和混合信号、ASIC 、手机平台、CodeWarrior? 开发工具、数字信号处理器与控制器、存储器 (MRAM)、电源管理、射频、传感器、无线连接等。产品广泛应用于日常各大品牌的产品中： 摩托罗拉手机、索尼电子、惠尔普电器、罗技键盘与鼠标、力健心血管与力量训练设备、卡西欧路由器、苹果笔记本电脑、 Bose声波无线电、Trane供热制冷设备、奔驰、宝马、现代及通用汽车等。

1.8、美光科技

美光科技成立于1978年，总部设在美国爱达荷州博伊西市，是当今世界高级半导体解决方案的主要提供商，也是全球第二大电脑内存芯片制造商。在保持全球最佳DRAM生产商地位的同时，美光科技已成为业界最大的Mb级DRAM生产商。主要产品包括DRAM、闪存、CMOS图像传感器和其它半导体组件与内存模块。公司与当今最尖端的计算、网络和通信产品制造商紧密合作，其先进的解决方案广泛应用于个人电脑、工作站、服务器、移动电话、无线设备、数码相机和游戏系统等。此外，美光还针对拍照手机、数码相机和个人电脑摄像机等市场提供CMOS图像传感器解决方案。

美光科技及其生产和销售子公司遍布世界各地，在美国爱达荷州的博伊西、弗吉尼亚的马纳萨斯、意大利、日本等地都拥有独资晶圆厂，在新加坡与TECH Semiconductor合资拥有晶圆厂，并有一个独资的封装测试实验室；在苏格兰有一个内存模块组装基地。美光科技还在波多黎各租用内存模块组装设施。在犹他州的制造厂主要用来制造晶圆及封装测试。

目前，美光科技在中国的业务结构包括了设在上海的中国区总部和IC研发设计中心，在北京、上海和深圳设有办事处。2005年9月，美光科技投资2.5亿美元的半导体项目落户西安高新技术产业开发区，预计将于2008年底全部建成，将主要负责为DRAM、NAND闪存和CMOS图像传感器在内的半导体产品进行封装测试。该工厂是美光公司在亚洲的第二家封装测试工厂，其第一家封装测试工厂于1998年在新加坡开始运营。

美光科技的50纳米制程NAND闪存芯片计划于2007年年初投产，并计划到2008年-2009年间将其市占率提高到10％以上。2007年，美光科技公司将开始从IM Flash Technologies公司（该公司是美光科技与英特尔在2006年初合资组建而成，位于美国犹他州莱西市，计划月产能为20万件硅片）的12英寸加工厂采购NAND芯片。 2、欧洲 2.1、意法半导体

意法半导体(ST) 成立于1987年，由意大利SGS公司和法国的汤姆逊半导体公司合并而成。意法半导体作为全球最大的半导体公司之一，2005年在全球半导体厂商中排名第五。现已发展成为全球模拟集成电路、MPEG-2解码器集成电路和ASIC（专用集成电路）/ ASSP的世界级领导厂商。另外，在存储器市场，意法半导体（ST）是NOR闪存的第四大供应商。在应用领域，意法半导体（ST）是机顶盒集成电路最大的供应商，智能卡和硬盘驱动集成电路和xDSL芯片的第二大供应商，无线通信业务和汽车集成电路的第三大供应商。

1994年，意法半导体（ST）与深圳赛格集团有限公司（SEG）的子公司深圳赛格高技术投资股份有限公司在深圳福田保税区合资建立了ST在中国的第一家封装测试厂深圳赛意法微电子有限公司（STS），合资企业是目前世界上技术最先进的芯片后端制造厂之一，承担各种半导体元器件的封装和测试业务，产品包括功率MOS晶体管、专用集成电路、相机模块和标准线性器件等。

2005年，意法半导体（ST）与韩国海力士半导体有限公司（Hynix）在江苏无锡合资建立一个存储器芯片前端制造厂---海力士-意法半导体有限公司。主要产品为8英寸及12英寸集成电路晶圆，应用范围涉及存储器、消费类产品、移动、SOC及系统IC等领域。该项目总投资为20亿美元，是国内半导体单体投资规模最大、技术最先进的项目，也是江苏省最大的外商独资项目。

2.2、英飞凌科技（奇梦达）

英飞凌科技于1999年4月在德国慕尼黑正式成立，其前身为西门子半导体事业部。作为全球领先的十强半导体公司之一，英飞凌科技目前是美国电子护照系统的第一家同时也是唯一一家安全芯片供应商。产品领域：（1）汽车、工业电子及多元化市场 (AIM) 。身为欧洲最大、世界第二的生产商，英飞凌提供包括传感器、微控制器、功率集成电路、收发器、无线芯片集及塑胶光纤在内的综合产品组合。（2）通信解决方案 (COM)。英飞凌提供最先进的端到端半导体产品及解决方案，以实现声音及高速数据从通信网络中枢向终端用户设备的流畅传输。产品广泛应用于有线和无线通信领域、汽车及工业电子、内存、计算机安全以及芯片卡市场。

作为世界上的主要内存芯片提供商，蚀刻着“infineon Logo”的内存颗粒几乎就是高品质的象征。在内存产品市场，英飞凌和另外两家巨头三星、美光共同占有全球DRAM市场80%的份额。英飞凌科技目前共拥有41,000多项专利。

作为全球运作的公司，英飞凌科技在美国的总部设在加州圣荷西市，亚太区总部设在新加坡，日本总部设在东京。自从1996年英飞凌科技在无锡建立第一家企业以来，目前英飞凌在中国拥有8家公司。在研发方面，英飞凌在上海、西安建立了研发中心；在无锡、苏州的后道封装测试工厂，为中国及全球其他市场生产先进的芯片产品；并以北京、上

海、深圳和为中心在国内建立了全面的销售网络。公司还与中芯国际等领先的电子代工企业进行生产制造方面的合作。

2006年5月1日，英飞凌正式将其内存产品部门分拆成一家新公司——奇梦达公司，目前已成为全球第二大DRAM公司（据2006年4月行业研究公司 iSuppli 统计），并于2006年8月9日在纽约证券交易所上市。奇梦达将在三大洲运营五个300mm晶圆制造基地及五个主要研发设施，其中包括在德国德累斯顿的领先研发中心。奇梦达是300mm晶圆生产的领导者，而且是PC及服务器市场DRAM产品的领先供应商。未来将产品延伸到图形、移动通讯和由低功率沟槽技术引导的消费类领域。奇梦达将通过由90nm向75nm技术规范的快速转移以加速生产效率。

奇梦达科技（苏州）有限公司（原名英飞凌科技（苏州）有限公司）是2003年7月由英飞凌科技与苏州工业园区创业投资有限公司合资成立的封装测试存储集成电路工厂，其中英飞凌科技占股72.5%，工业园区创业投资有限公司占股27.5%，注册资本为3亿美元，未来十年计划投资额将超过10亿美元。

2.3、飞利浦半导体（NXP）

飞利浦半导体总部位于荷兰爱因霍芬（Eindhoven），为全球顶尖半导体供应商之一，是欧洲第二大半导体供应商，仅次于意法半导体，其目标是成为全球联网消费性电子与通信应用的半导体解决方案领导厂商。飞利浦半导体是移动通讯、 消费电子、 数字显示屏、 非接触式支付和连接以及车载娱乐和网络相关芯片系统解决方案的领导供应商。主要产品包括：（1）Nexperia 芯片系列（涵盖高度集成可编程系统化单芯片 (SoC) 与配套芯片、参考设计、系统软件与开发工具等完整应用）；（2）非接触式射频识别（RFID）（飞利浦是非接触式射频识别技术的领导厂商，目前 RFID 芯片出货量已经超过10亿颗，是供应链管理、安全识别与鉴别、汽车自动化安全、大众运输与票务系统等各种解决方案所不可或缺的芯片产品）。（3）NFC 近距离无线通信（NFC 近距离无线通信技术免除了电缆的需求，让两个电子设备间能够简单且安全地进行信息传输）。作为全球著名的半导体产品供应商，飞利浦半导体在单片机（MCU）领域具有强大的影响力。尤其近几年在ARM（32位）和增强型51单片机方面，有大量的新产品问世。

飞利浦半导体拥有20个生产组装基地，并在 60 个国家设有业务单位，生产基地遍及美国、亚太地区和欧洲各地。其半导体业务在亚太区主要分布在中国、马来西亚和菲律宾等国。飞利浦半导体业务部门2005年销售额为46亿欧元。其中70%的业务来自亚洲地区，而半导体业务也是飞利浦集团在亚洲地区最大的收入来源。

目前，飞利浦半导体在中国内地的投资主要有：（1）飞利浦半导体(广东)有限公司是飞利浦电子集团公司在中国创办的第一家全独资半导体项目企业，于2000年9月1日正式投产，以生产插入式分立半导体器件和片装半导体组件为主。2003年进行了增资扩产，新

厂区共可容纳100条高科技生产线，每年半导体组件产量可达250亿个，已成为全球最大的半导体生产中心之一。（2）2001年，飞利浦半导体(苏州)有限公司成立。目前主要进行移动通信产品的晶圆及集成电路的封装和测试。该封装测试厂分两期进行，6年内建成。首期于2003年第二季度完工，最高产能可达到7.5亿个。（3）2004年11月，飞利浦电子公司与国内最大的功率器件生产企业——吉林华微电子股份有限公司联合组建合资公司——吉林飞利浦半导体有限公司。其中，飞利浦持股比例为60%，华微电子为40%。该公司主要提供外延二极管、偏转晶体管、阻尼二极管、可控硅、晶闸管等产品。生产规模为年产125mm芯片50万片。（4）飞利浦持有已在上市的内地模拟半导体芯片代工厂上海先进27.65%股权。（5）2003年1月，飞利浦半导体与大唐移动和三星创立天碁科技，从事TD-SCDMA终端核心技术设计。

2006年8月4日，飞利浦电子集团正式宣布，与全球最具经验的私募基金公司---纽约Kohlberg Kravis Roberts (KKR), 在科技领域占有领导地位的私募基金公司---加州Silver Laker Paners（银湖）及在全球运营的荷兰私募基金公司---AlpInvest Partners NV (以上三家私募基金公司统称国际财团)签署协议, 该国际财团将收购飞利浦半导体事业部门80.1%的股份, 而飞利浦集团仅保有19.9%的持股份额且，并将半导体部门为新公司。2006年9月14日，飞利浦半导体宣布公司更名为 NXP，新公司将从皇家飞利浦体系。新拆分出来的半导体公司将凭借着强大的研发能力及大量的知识产权专利，加强其在手机和个人移动通信、家庭娱乐、汽车电子及智能识别、多重市场半导体领域的市场竞争力。

备注：整机企业拆分半导体业务已成一个趋势，因为拆分可以给两者带来新的竞争力：一方面，整机业务可以自主选择上游芯片提供商，可通过多家采购降低上游成本，且有利于采用技术最领先的芯片，而不是局限于自身的半导体部门；另一方面，半导体业务可以有多家下游整机客户支撑，有自主经营权，而不是局限于自身的整机业务导向。 3、日本 3.1、东芝

东芝集团创立于1875年，是电子设备、信息和通信系统、数字家电产品和动力系统等领域的领导者。其产品种类繁多，大约可分四类：资料/通讯系统；电子装置；重型电子仪器；消费品及其他。东芝集团集成能力广泛, 从硬件到软件和服务, 都证明了它在不同的领域和多种业务的先驱位置。在半导体领域, 作为日本第一大半导体厂商，2005年在全球20大半导体厂商中排名第四，并实现了11%的销售额增长。东芝将继续推进它在系统LSI 市场上的领导地位和确立在NAND闪存、模拟装置和分离元器件领域的国际领先水平。2002年6月，东芝宣布与富士通在以SoC(System on Chip，系统单芯片)为核心的半导体领域进行全面合作，以期在网络社会中发挥出全球性的统率作用。

东芝半导体的特征是其丰富的产品线。以分立器件、系统LSI、存储器的3大产品群为3大支柱，发挥综合能力，在多方面不断满足客户的需求。在伴随着数码相机、手机、

硅元素音频等急速扩大的存储卡领域，设立了市场占有率世界第一的SanDisk公司和JV，共同制造进一步发挥其独特技术的NAND型闪存的优越性的产品。东芝半导体产品有：（1）分立器件（通用逻辑IC 、晶体管、二极管、光电半导体器件、功率器件）。东芝的分立器件产量市场占有率占世界首位。（2）系统LSI（音响信息系统LSI、通讯网络系统LSI、汽车系统LSI、微处理器和外围设备LSI、双极IC）。（3）存储器（定制动态RAM、NAND型闪存、静态RAM 、多芯片封装）。

东芝半导体（无锡）有限公司前身为无锡华芝半导体有限公司（1994年由东芝和无锡华晶合资成立），2002年7月由东芝收购为其全资子公司，并更名为东芝无锡半导体有限公司，在无锡高新技术产业开发区成立，并于2002年12月正式投产，东芝另斥资1500万美元在无锡新区工业园内新建生产据点。东芝半导体（无锡）有限公司主要开发、制造、销售各类民用大规模集成电路，到2004年月产量达3000万块电路。此外，公司还导入了分立器件等其他半导体新产品。

3.2、瑞萨科技

瑞萨科技由日立、三菱电机于2003年4月合资（分别占股55%和45%）建立，总部位于日本东京，在全球约20个国家拥有制造、设计和销售业务网络。瑞萨科技是为移动、汽车及个人电脑/AV（音频视频）市场提供领先半导体系统解决方案的全球供应商之一，2005年在全球20大半导体厂商中排名第七。瑞萨科技也是全球首屈一指的微控制器供应商，在全球微芯片市场的排名仅次于英特尔名列第二。瑞萨科技也是LCD驱动器集成电路、智能卡微控制器、射频集成电路（RF-IC）、大功率放大器、混合信号集成电路、系统级芯片（SoC）、系统级封装（SiP）等产品的领先供应商。产品主要有：微控制器和微处理器、存储器、标准IC、专用IC和基于高级研发的分立半导体、智能卡、蓝牙LSI、USB 设备、分立器件、ASSP、系统封装等。

瑞萨半导体(苏州)有限公司是瑞萨科技在中国设立的一家半导体后道工艺制造企业。 2006年1月，日立、东芝和瑞萨科技共同成立了一家采用先进制造工艺的半导造工厂。日立持股50.1%、东芝持股33.4%；瑞萨科技持股16.5%。

2006年7月，瑞萨科技宣布，推出用于下一代汽车导航设备等高性能车载信息终端的系统级芯片。该器件是全球第一个具备图像识别处理功能的汽车导航SoC。

2006年8月，松下电器产业有限公司与瑞萨科技宣布，两家公司已开始对45nm SoC（系统级芯片）半导造技术进行全面整合测试，预期将在2007年6月完成，2008年开始量产。新的45nm工艺将用来制造松下和瑞萨用于先进移动产品和网络消费类电子产品的系统级芯片。

3.3、NEC

NEC成立于19年，当时与美国的西部电气（WE公司）合资成立，是日本最早的合资公司。NEC现已成为在IT、通讯、半导体领域著名的公司。1986年世界上首次成功开发4M位DRAM。1993年世界上首次开发出256M高性能DRAM。1995年世界上首次开发使用1G位DRAM。1997年研制出世界第一个4G位DRAM。2002年11月，NEC开设半导体专业企业，名为NEC Electronics Corporation。NEC半导体产品有：微计算器电路、半定制芯片、通用线性芯片、离散器件、晶体管、二极管、晶闸管、消费者高频器件、组件内存、特定用途组件、USB、IEEE1394。

在中国投资的半导体企业有：（1）日电电子有限公司于1977年由NEC注资成立，积极在拓展半导体及电子产品之市场。为扩展亚太区业务，还设立有中国深圳代表处及韩国分公司。（2）首钢日电电子有限公司成立于1991年12月，是由NEC和首钢总公司合资兴建的从事超大规模电路的设计、开发、生产和销售的高科技企业。1994年4月组装线投产,1995年4月扩散线投产。目前, 首钢日电的扩散线工艺技术水平是4英寸、0.35微米,生产能力为月投13,500片；组装线生产能力为年产8,000万块集成电路。主要产品有4兆位/16兆位/兆位/128兆位动态存储器、单片微机、门阵列、通讯电路和家电电路等五大类,广泛应用于计算机、程控设备和家电等领域。（3）上海华虹NEC电子有限公司成立于1997年7月，由NEC、日电(中国)有限公司和上海华虹(集团)有限公司共同投资组建，合资期限20年（其中华虹集团持股71.4%、 NEC持股18.6%、日电(中国)有限公司持股10%）。上海华虹NEC是中国最先进的集成电路制造企业之一。拥有中国第一条8英寸Foundry生产线。（4）NEC电子（中国）有限公司于2005年10月由NEC投资成立，主要负责NEC在中国的半导体设计、开发、销售和技术支持工作。并在上海、深圳等地设立有分公司。产品有：微控制器芯片、电源管理器件、手机屏背光电路芯片、手机照相电路芯片、通用线性芯片、各种分离器件、消费者高频器件、组件记忆体、特定用途组件及相应配套开发工具软件等。

2005年12月，NEC宣布同东芝公司加强合作，共同研制下一代半导体--45纳米的大规模集成电路制造技术，以降低研究开发的生产成本，提高竞争力，并争取在2010年开始批量生产45纳米集成电路。

2006年2月， NEC半导体（爱尔兰）公司宣布，由于运作成本过高，计划于2006年9月底关闭在爱尔兰Ballivor 的IC装配和测试工厂。

3.4、富士通

富士通成立于1935年，总部位于日本东京，是生产、销售包括软件、计算机和信息处理平台、通讯系统、半导体和电子器件的公司，拥有最先进的半导体技术。在全球100多个国家，富士通集团旗下拥有500多家技术、软件、服务子公司。富士通半导体产品领域有：（1）专用集成电路（标准单元、嵌入式宏阵列、门阵列、IP 宏、构装、设计资源、

结构化ASIC）；（2）模拟产品（相位闭锁回路、电源管理）；（3）存储器产品（闪存存储器 、快速循环随机存储器）；（4）微控制器（8位MCU、16位MCU、32 位MCU、支持FlexRay标准的MCU）；（4）晶圆代工服务；（5）系统LSI 解决方案（车载应用、FR-V多媒体解决方案、数字电视机顶盒、DVB MPEG2解码器、DVB/DSS前端、MPEG-2编码器、影像产品、移动媒体处理器、生物识别传感器、全球定位系统/辅助全球定位系统芯片组）。

FMI(Fujitsu Microelectronics,Inc.)是富士通在美国的子公司，于1979年组建，总部设在加州圣约瑟市，专门生产半导体产品和电子器件。产品包括：ASIC、嵌入&SPARC处理器、3D/多媒体产品、无线通讯产品、网络IC、高速I/O控制器、存储器产品和平板显示器等。同时也提供先进的封装技术服务。公司在加州、俄勒冈州、德克萨斯州建立了半导体开发、生产、销售机构。FMI在美国的发展主要集中在高附加值的逻辑器件如系统LSI产品上。1997年，扩建了在俄勒冈州的硅片工厂，用以生产M位SRAM。

2002年6月，富士通和东芝宣布在新一代半导体业务领域进行全面合作。合作核心为系统单芯片（System on Chip, SoC） (在一枚芯片上嵌入多种功能)以及特殊用途芯片等。

2003年7月，富士通与AMD宣布联合成立飞索半导体（苏州）有限公司（其前身是成立于1996年的超微半导体（苏州）有限公司）），以整合各自的闪存业务，目标是成为闪存行业的领导者。合资公司以Spansion 为统一的全球品牌，主要产品是快闪存储器，广泛应用于移动通信、卫星、航空和汽车等，在NOR型闪存的市场占有率处于世界领先地位。富士通和AMD有长期的伙伴关系，一起开发闪存。但两家公司在欧洲也相互竞争，争夺一起开发的芯片的销售。富士通还与AMD合资经营有多家芯片厂，其中包括设于美国德州奥斯汀的 Fab 25 芯片厂及设于日本 Aizu-Wakamatsu 的 JV1、JV2 及 JV3 等三间芯片厂。上述芯片厂全部采用 110、130 及 170 纳米技术生产创新的低电压 Spansion 闪存芯片。

富士通微电子（上海）有限公司成立于2003年10月，是富士通在中国的半导体业务总部，在北京、深圳等地均设有分公司,负责统筹富士通在中国半导体的销售业务。2006年8月，富士通微电子（上海）有限公司宣布，作为数字机顶盒芯片市场的领导者之一，富士通的MPEG解码芯片系列（MB86H2X)产品已在上海, 大连等国内各大、中城市有线市场广泛采用 ，其性价比受到国内外市场的广泛肯定，目前已被国内外多家机顶盒厂商采用。为适应中国有线市场日益增长的交互式应用需求, 富士通将于2006年下半年推出MPEG解码芯片家族的新成员, 其CPU主频超越200MHz。

南通富士通微电子股份有限公司成立于1997年8月，由富士通（中国）有限公司和南通华达微电子有限公司共同投资（中方控股）创建，是目前国内规模最大、技术水平最高、产品品种最多，专业提供从芯片测试到封装，再到成品测试一条龙服务的骨干企业。公司拥有MCM（MCP）、MEMS等高端IC封装技术，掌握的镀钯、纯锡、锡铋等无铅化电镀工

艺和8英寸、150微米以下芯片的减薄、划片等工艺以及计算机辅助多头测试技术居国际领先水平。目前正积极与国内外主要晶圆制造商合作开发12英寸芯片的封装工艺。

2004年3月，富士通在日本三重县多度町设立12寸晶圆厂，并于2005年9月量产出货。该厂采用65～90纳米制程，2005年开始投产系统芯片。

富士通晶片代工工厂有：（1）日本会津若松市工厂（系统大规模集成电路，微型计算机，存储器）；（2）日本岩手县工厂（存储器，微型计算机，逻辑）；（3）日本三重县工厂（高端系统大规模集成电路，逻辑）。

3.5、松下电器

松下电器产业株式会社是由1918年松下幸之助所创建，总部设在日本大阪。公司主要致力于影像器材、音响器材、磁性记录产品、信息/通讯器材、车载设备、电子零部件、半导体、电子管的生产。

苏州松下半导体有限公司于2001年12月在苏州高新区成立，由松下电器产业株式会社100％出资，公司自投产以来迅速扩大生产规模和产品结构，除原有的单立式半导体工厂之外，全新的AV传感模块工厂于2004年4月投产，主要产品为手机话筒及手机摄像头。半导体元器件月生产量为1亿个，手机话筒月产量为1千8百万个，手机摄像头月产量为100万台。2005年8月， 松下电器在原苏州松下半导体有限公司举行了新厂奠基仪式。新厂是应中国市场上消费者对于松下手机、DVD、电视机等数码家电产品需求的不断增长而扩建的，并将建成松下半导体元件在海外重要的生产基地。新工厂将扩大生产半导体元件、手机用摄像模块以及集成电路为主的尖端半导品等。

上海松下半导体有限公司作为日本松下半导体本部在中国的两大半导体支社之一，成立于1994年11月。上海松下半导体承担着中国大部分松下电器企业的集成电路制造任务，并且产品还提供给其他的一些电器生产厂商。公司生产的产品为通信用、AV用、汽车AV、TV用、VCD/DVD用、家电等民用微处理器、IC以及功率半导体分离器件。

3.6、三洋电机

三洋电机于1947年2月开始创业，1950年4月成立现在公司。拥有海外关联公司158家。 三洋电机于1983年在深圳蛇口设立生产基地，至今在中国已拥有43家关联公司。在华设立的半导体企业有：

苏州三洋半导体有限公司于2002年6月成立于苏州高新区，由日本三洋半导体集团投资设立的半导体工场，2003年12月正式投产。主要致力于半导体及液晶显示器的研发、设计、制造及封装测试。产品有模拟LSI、系统LSI以及LCD模块。

三洋半导体（蛇口）有限公司设立于1984年11月，位于深圳市蛇口工业区，主要生产和销售半导体产品及与此相关的全部零部件。

2006年7月三洋电机宣布分拆半导体业务，设立了三洋半导体公司，其联合结算对象公司包括三洋半导造、关东三洋半导体以及三洋半导体元件等。 三洋半导体公司社长由2005年7月就任三洋电机半导体社长的田端辉夫担任。

3.7、罗姆株式会社

罗姆株式会社于1958年9月在日本京都成立，前身为东洋电具制作所，主要从事晶体管的生产。1969年开始进入LSI（大规模集成电路）行业；1981年公司更名为ROHM株式会社；19年于东证一部上市；1997年实现了DVD红色激光二极管的批量生产；2000年研发出Real Socket，该产品是系统LSI设计工艺中的性概念。截止2005年3月罗姆集团营业额达到3,690亿日元(约合285亿元人民币)；在全球拥有45家公司，其中日本13家、中国5家、其它地区27家。罗姆集团的产品主要包括大规模集成电路、光学器件、模块组件、分立式半导体和无源元件等。1993年进入中国以来，罗姆先后在、大连、天津、上海等地建立了制造基地和营业基地。

其中，罗姆半导体(中国)有限公司位于天津经济技术开发区，是由世界著名半导体研发、生产性企业罗姆株式会社投资的全资子公司，2005年3月15日经商务部批准正式成立，投资总额216.62亿日元(约2.1亿美元)。公司设有两个制造本部(十个制造部)和一个集成电路设计部，具有极强的生产能力。采用罗姆株式会社自主开发、具有世界领先的技术生产广泛应用于手机、数字照相机、数字摄像机、DVD、PC、多功能打印机及各种音响设备的片式二极管、片式三极管、片式发光二极管、传感器、半导体激光器、液晶显示器等半导体分立元器件。

3.8、索尼

索尼公司是世界上民用/专业视听产品、游戏产品、通讯产品和信息技术等领域的先导之一，在音乐、影视、计算机娱乐以及在线业务方面的成就使其成为全球最大的综合娱乐公司之一。目前，索尼公司在全球120多个国家和地区建立了子公司和工厂。2005年索尼半导体在全球20大半导体厂商中排名第9位，并实现了19%的最高增长率。

索尼芯片销售的增长主要得益于视频游戏机、MP3播放机、数字电视和其它消费电子产品的需要。2005年索尼内部使用的半导体增长了50%。 3.9、三菱电机

三菱电机成立于1921年，始终在工业及重电设备、卫星、防御系统、电梯及自动扶梯、汽车用电子用品、空调、通风设备等领域保持着领先地位，未来将进一步拓展在移动通信设

备、显示设备、显示装置技术及尖端半导体等领域在世界市场的份额。早自20世纪60年代，三菱电机因半导体激光技术而领先世界。三菱电机半导体产品主要有三菱功率模块（三菱IGBT、三菱IPM、三菱MOSFET等）、三菱微波/射频和高频光器件、光模块等，其中三菱功率模块在电机控制、电源和白色家电应用中可实现变频、节能和环保需求；而三菱系列光器件和光模块产品在各种模拟/数字通讯、有线/无线通讯等应用中提供解决方案。

2002 年2月，三菱电机与住友金属工业(株）共同设立了三菱住友硅晶公司，该公司目前是全球第二大硅晶圆制造商（仅次于日本硅晶巨头信越化学），公司生产系统涉及了从多晶硅到单晶硅片的整个生产链，市场遍及全球，英特尔、三星、摩托罗拉等均是其客户。目前正计划在日本Saga兴建一座新的12寸晶圆厂，以大幅扩充12寸晶圆的产能（总投资约为9亿美元，预计2007年投产）。三菱住友硅晶公司计划到2008年将12寸晶圆的产能提高到70万/月，其中现有工厂提高至60万/月（现有工厂每月30万片已接近满载生产），其余由新建工厂供应。2010年提高至100万/月。

1987年三菱电机在上海成立了首家合资公司--上海三菱电梯有限公司。到目前，三菱电机在中国的合资、独资企业已达27家。科菱机电（上海）有限公司成立于1997年10月，其半导体事业部以销售三菱电机半导体产品为主。

3.10、信越化学

信越化学工业株式会社创立1926年9月，生产产品有聚氯乙烯、有机硅、纤维素衍生物等日常生活和工业生产不可或缺的原材料以及半导体硅、合成石英、稀土磁铁、光刻胶等半导体电子材料。

作为日本硅晶巨头，信越化学和三菱住友硅晶公司分别是全球排名前两位的硅晶圆制造商（市占率分别为28.9%、23.3%）。作为世界一流的原材料供应商，信越化学在聚氯乙烯和半导体领域，满足客户的多样化需求。在合成石英、有机硅、纤维素衍生物、人工合成信息素等领域，信越化学拥有世界领先的生产技术。 4、韩国 4.1、三星电子

三星电子成立于1969年，初期以生产廉价产品为主，1980年始发展半导体业务，其后逐渐向高端产品业务发展。现在业务范围包括半导体、数字媒体、通讯网络及数字应用等。三星电子1974年开始涉足半导体领域（初期进行硅片制造），现已发展全球仅次于英特尔的第二大半导体公司。

半导体是三星电子的核心业务，也是三星最早获得世界领先称号的产品。三星电子最初是以支付专利金的方式从美国美光科技引进半导体技术。1994年开发世界第一款256MB

DRAM，奠定了其在半导体行业的领先地位。1996年开发出 1Gb DRAM。2000年开发出ADSL芯片集。2002年开发出90nm SOC 处理技术。

三星电子作为世界第二大半导造商，已连续13年（1992年开始）在DRAM领域、连续10年（1995年开始）在SRAM领域占据世界第一位，2002年LDI全球市场占有率跃居第一位，2003年Flash Memory跃居第一位（NAND Flash连续两年）。目前三星已是全球NAND型闪存市场的龙头，其市占率逼近60%。2005年三星领先全球、首次以Fab 14的12英寸晶圆投产NAND型闪存，初期以0.07微米工艺量产，随后将导入0.06微米工艺。三星半导体LSI是全球系统逻辑产品处理器和ASIC产品的引领者之一，三星LSI着眼于数字和无线技术的结合，如数字电视、机顶盒、无线手持设备、智能手机等。三星数字逻辑技术包括SOC（系统单芯片），SiP（系统封装）和90nm处理工艺。

目前三星电子半导体总部已在中国成立了两个生产型公司：三星电子（苏州）半导体有限公司和苏州三星电子液晶显示器有限公司。两个销售型公司：上海三星半导体有限公司和三星半导体（）有限公司。在苏州、杭州成立研究所——三星半导体（中国）研究开发有限公司，对电子零部件和集成电路的软件及硬件设计、电子产品解决方案的研发、半导体封装技术进行研发。

作为苏州工业园区第一家大规模投资兴建的标志性企业，三星电子（苏州）半导体有限公司成立于1994年12月，是三星电子在海外的第一家半导体生产基地。目前拥有三条封装及测试线，主要封装、测试来自韩国本土工厂生产的DRAM、SRAM、Nand Flash、SLSI、Memory Module等世界排名第一的产品，其半导体技术水平居于世界前端。2006年7月，三星电子宣布将在苏州新增一条半导体组装线，预计于2007年初开始生产。2006年7月7日，三星电子（苏州）半导体有限公司第二工厂在苏州工业园区举行了奠基仪式，第二工厂投产后将生产DRAM、SRAM等三星半导体的最尖端产品。

2005年９月，三星电子宣布将在2012年前投资330亿美元，在韩国京畿道建设半导体第二园区，并将在第二园区新设９条半导体生产线，其中８条用于生产新一代尖端半导体，另外１条用于开发50纳米以内的未来型半导体。此举将使三星电子成为世界上最大的超一流半导体企业。在半导体生产工艺上，三星半导体和美国IBM公司和新加坡特许半导体建立了联盟，共同研发下一代45纳米的制造工艺。

4.2、Hynix（海力士）

海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。

海力士半导体是世界第二大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。目前在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。

2003年4月，与ST（意法半导体）公司签定合作生产NAND闪存的协议。2005年韩国(株)海力士半导体和欧洲意法半导体公司在江苏无锡新区出口加工区合资成立了海力士-意法半导体有限公司。

5、中国

半导体产业已成为最重要的高科技产业。半导体生产能力逐渐迈向高级化与复杂化，已从原来的以封装测试业为主转为以芯片生产为主，且从4英寸与5英寸芯片等产品生产发展为以8英寸芯片生产为主，并开始生产12英寸芯片。目前是全球最大的芯片代工地，占全球芯片代工市场的70%左右。

5.1、台积电

台积电（TSMC）由半导体之父张忠谋于1987年在有“硅谷”之称的新竹科学园区创立，是全球第一家以最先进的制程技术提供晶圆专业制造服务(即晶圆代工)企业。

作为全球第一大晶圆代工厂商，台积电拥有全球第一的产能，也拥有全球公认的最佳品质。IC设计大厂大都以台积电为代工厂首选。每当半导体产业不景气需求减少时，IC设计大厂更倾向于将订单投向台积电。因此越是半导体产业不景气，台积电的订单反而越多，而其他晶圆代工厂则减少。台积电目前总产能已达全年430万片晶圆，其营收约占全球晶圆代工市场的50%。2002年，由于全球的业务量，台积电是第一家进入半导体产业前十名的晶圆代工企业，排名为第九位。

台积电目前拥有2座最先进的12英寸晶圆厂、9座8英寸晶圆厂以及1座6英寸晶圆厂。其中8英寸晶圆厂包括：台积电转投资的美国子公司WaferTech、台积电(上海)有限公司以及与飞利浦和新加坡私人投资公司合资成立的SSMC公司以及台积关系企业----世界先进的一座8英寸晶圆厂。2004年9月，台积电在上海松江的8英寸工厂投产，目前月产能达5000片，后续将逐步提升至第一阶段月产能3.5万片的规模。2005年7月，台积电在其12英寸晶圆厂为微软Xbox 360生产北桥芯片。2005年台积电已拥有60个90纳米的产品订单，其中有30个品种进入批量生产。至2005年底，90纳米产品的产值占总营收的10%。

台积电将于2006年推出MEMS平台，并计划于2007年1月在中部科学园区构建下一代12英寸晶圆厂，新工厂将采用65纳米和45纳米制造工艺，预计到2008年8月开始发货，产量可达每月11000片晶圆。台积电已成功研发了45纳米的系统芯片开发平台，并最快将在2007年第三季度开始采用45纳米制程工艺进行批量生产。

5.2、台联电

台联电（UMC）创立于1980年，为第一家半导体公司，也是第一家上市的半导体公司(1985年)。总部设在新竹科学园区。1995年7月，转型为纯晶圆专工公司，1995年9月8英寸晶圆厂开始生产。

作为世界一流的晶圆专工公司，台联电先进制程技术包括铜导线技术、低介电值阻绝层、嵌入式内存、混合讯号及射频组件制程。身为半导体业的尖兵，台联电领先全球，首先导入铜制程及量产；发展先进制程，使0.13微米制程量产及12英寸晶圆快速量产。台联电同时也是首先量产出90纳米制程芯片给客户之晶圆专工公司。

台联电现有1座6英寸晶圆厂（制程：0.45um，规划产能：50,000 /月）、7座8英寸晶圆厂（制程：0.25um，规划产能：50,000 /月；制程：0.35um - 0.15um，规划产能：35,000 /月；制程：90nm，规划产能：35,000 /月；制程：0.18um，规划产能：35,000 /月；制程：0.15um，规划产能：40,000 /月；制程：0.15um，规划产能：32,000 /月；制程：0.25-0.15um，规划产能：25,000/月）和2座12英寸晶圆厂，其中1座位于台南科学园区的Fab 12A厂（2002年9月量产，制程：65nm，规划产能： 40,000 /月），另一座位于新加坡的Fab 12i厂（2004年3月量产，制程： 90nm，2004年底产能达10,000片/月）。

重要历程：1996年1月，0.35微米制程晶圆量产。1997年10月，0.25微米制程晶圆量产。1999年3月，0.18微米制程开始生产。2000年5月，产出第一颗0.13微米制程IC。2004年3月，产出第一颗90纳米制程IC。 2004年5月，90纳米制程量产。2005年8月，90纳米晶圆出货量逾10万片。目前台联电正致力于发展45纳米制程工艺。

90纳米产品成为近年台联电的一个亮点。在90纳米晶圆芯片总发货量方面，台联电在所有代工厂中独占鳌头，总共有四个90纳米FPGA系列和28种器件由台联电制造。2004年，台联电采用90纳米工艺出3.1万片8英寸晶圆。90纳米制造工艺已有超过50个产品正式试产，其中有超过1/3的产品开始量产，包括RF及Digital技术的单芯片产品。2005年第二季度，台联电的90纳米产品销售额占公司总销售额的9%。

台联电的大客户有台联电阵营的联发科和联咏。联发科是全球最大的DVD光碟机用IC厂家，月投片量在5-6万片，联咏是全球最大的TFT-LCD驱动IC厂家，月投片量在3万片。

5.3、南亚科技

南亚科技成立于 1995 年3月，致力于 DRAM （动态随机存取内存）之研发、设计、制造与销售，并于美国、欧洲、日本、中国设立海外营销据点，其最大股东为台塑集团之南亚塑料股份有限公司。目前拥有2座8英寸晶圆厂，分别位于桃园南崁及林口华亚园区，月产能为73,000 片，制程技术以 0.11微米为主。2006年4月，12英寸晶圆厂在台北泰

山南亚塑料厂区动工（为台北县第一座半导造厂），预计2007年第三季开始以70纳米以及60纳米制程投产，最大月产能可达6万片，第一阶段月产目标 2.4万片。南亚科技目前主要产品有DRAM、 EDO DRAM、SRAM、DDR、DDR2等内存产品，正开发DDR3等内存产品。

南亚科技于2002年11月与英飞凌科技签订90与70纳米制程技术共同开发合约， 并共同合资兴建了华亚科技12英寸晶圆厂，目前月产能为6.2万片12英寸晶圆。华亚科技第2座12英寸厂在2007年第2季开始量产。凭借自有的1座12英寸厂以及与英飞凌科技合资的2座12英寸厂的全部满产，南亚科技的全球市占率将突破10%以上。2005年9月， 南亚科技和英飞凌扩大技术发展合作，签订60纳米先进技术共同开发合约，此举将大幅提升双方在DRAM市场上的竞争力。2005年6月，南亚科技与英飞凌宣布两家公司共同开发的 90纳米制程技术生产的内存产品，已经获得主要客户及英特尔认证。90纳米制程技术，已在英飞凌在德国德勒斯登的12英寸晶圆厂进行量产，双方合资成立的华亚科技12英寸晶圆厂也开始进行 90纳米制程技术的转换。

5.4、茂德科技

茂德科技成立于1996年12月，总部位于新竹科学工业园区，是全球知名的动态随机存取内存(DRAM)设计、研发、制造公司，在全球DRAM产业以前瞻技术领导者与优异的生产效率著称。茂德科技以先进制程技术生产主流的高容量与高效能的标准型动态随机存取内存产品(DRAM)与利基型内存产品 ( SDRAM)。茂德科技与全球半导体领导厂商之一韩国海力士半导体(Hynix)，进行尖端90纳米、70纳米技术的策略联盟合作，双方并共同开发60纳米及以下的次世代制程技术。

茂德科技在新竹科学工业园区设立有1座8英寸晶圆厂（晶圆一厂）与1座12英寸晶圆厂（晶圆二厂）；在中部科学工业园区设立有第2座12英寸晶圆厂（晶圆三厂）以及于2006年7月动工兴建、2007年进行量产的第3座12英寸晶圆厂（晶圆四厂）。2005年，茂德科技于晶圆三厂采用90纳米堆栈式制程技术量产。2006年，晶圆三厂直接导入70纳米堆栈式制程技术，创下国内首家DRAM内存公司以70纳米尖端技术进行量产的记录。未来茂德科技将引进60奈米制程技术量产DRAM内存。

5.5、力晶

力晶1994年12月创立于新竹科学园区，业务范围涵盖动态随机存取内存（DRAM）制造及晶圆代工两大类别。公司设立之初，即与日本三菱电机建立技术、生产与销售的策略联盟。目前与日本的DRAM大厂Elpida（尔必达，为日本第一大记忆体晶片制造商）缔结策略联盟，双方携手合作共同研发最尖端DRAM技术。代工方面，力晶为瑞萨科技的主要代工伙伴，迈向系统芯片(系统LSI)领域。目前力晶半导体产品有标准型内存

(DRAM)、消费性内存 (C-RAM)、通讯用内存(M-RAM)、高容量闪存(Flash)、CMOS影像传感器等。

力晶首座8英寸晶圆厂自1996年开始运转，投入生产DRAM；2000年领先同行兴建第1座12英寸晶圆厂，2003年续建第2座12英寸晶圆厂。截至2005年底力晶已拥有2座总月产能达9万片的12英寸晶圆厂和1座月产能4万片的8英寸晶圆厂。详见下表：

厂房 量产时间 满载月产能 8英寸晶圆厂 1996年10月 40,000片 12英寸晶圆厂 2002年10月 45,000片 0.13/0.11/0.1 微米 12英寸晶圆厂 2005年6月 45,000片 制程技术 0.25/0.18/0.165/0.15微米 90/70纳米

2006年1月，力晶向旺宏电子购入1座月产能可达3万片的12英寸晶圆厂，并于2006年3月在台中后里科学园区动工兴建2座12英寸晶圆厂。

5.6、联发科技

联发科技成立于1997年。目前为第一大IC设计公司，且为全球前十大IC设计领导厂商。主要产品：光储存芯片组(如CD-ROM、DVD-ROM、CD-R/RW芯片)、高阶数字消费芯片组(如DVD Player芯片)、无线通讯芯片组(如GSM/GPRS芯片)、数字电视芯片组等。就光储存领域，联发科技领先全球推出包含CD-ROM、DVD-ROM、DVD-Player、CD-R/RW、Combi、DVD-RW等相关控制芯片组。高阶数字消费领域，包含DVD Player、DVD-Recorder等都维持全球第一的市占率。无线通讯领域，含括低阶至中高阶GSM/GPRS芯片组及完整软件解决方案，已突破每月出货400万颗。LCD TV及数字电视芯片组，已成功拓展北美及中国市场。

6、新加坡：特许半导体

特许半导体（Chartered）成立于1987年，是全球顶级专业半导造厂之一，拥有最前沿的、向下延伸到 65 纳米的制造工艺，支持当今的片上系统设计（SoC）。未来将通过合作和共同开发的途径进45纳米技术的研究。特许半导体在新加坡运营有1家300mm制造厂和4家200mm制造厂。第一座12英寸厂于2004年底正式进入试产，初期月产能3000片，为IBM着手试产90纳米SOC工艺，未来将提供130纳米及90纳米工艺产品。2005年年中开始在12英寸厂采用90纳米制程工艺生产12寸晶圆。特许半导体65纳米工

艺芯片设计流程已经出炉，2005年第4季通过验证，2006年初在12英寸厂进行试产，产品主要以逻辑IC、混合信号IC及多重高压应用产品为主。

2005年11月，特许半导体宣布将为英飞凌科技制造供生产手机的晶片，2006年第一季利用它最先进的65纳米生产技术来制造有关晶片的原型，第四季将开始批量生产此晶片。未来特许半导体还将导入高压、非挥发性内存与高效能SiGe Bi CMOS工艺技术，并锁定LCDS驱动IC、RFID与微控制器等利基市场。2006年7月，AMD宣布，新加坡特许半导体生产的 AMD 位处理器产品已于6月开始发运。

7、中国 7.1、中芯国际

中芯国际成立于2000年4月，总部位于上海张江高科技园区，是世界领先的集成电路芯片代工厂之一，也是中国内地最大及最先进的芯片代工厂。公司装备了中国最先进的光掩膜生产线，技术能力跨越0.35微米到90纳米。产品包括逻辑电路、混合信号/射频电路、高压电路、系统级芯片、嵌入式及其他存储器、硅基液晶和影像感测器等。

中芯国际目前在中国内地拥有7家工厂。其中，在上海运营有３座８英寸芯片代工厂，包括1座后段铜制程代工厂。中芯一厂、二厂以 0.35 微米到 90 纳米的制程技术制造８英寸前段工艺晶圆，规划月产能均为4.5万片；三厂是一个的后段制程代工厂，规划月产能为1.5万片。

2004年1月，中芯国际收购了其第4座位于天津西青经济开发区的8英寸芯片代工厂（原摩托罗拉天津8英寸芯片厂），月产能为3.65万片，该厂可生产从 0.35 微米至 0.18 微米的芯片。

中芯国际在国内唯一一家12英寸晶圆厂坐落于北京经济技术开发区，于2004年7月开始投产，规划月产能为2.0万片。中芯国际和新加坡封测代工厂联合科技在成都高新区西部园区的出口加工区合资成立的中芯国际（成都）封装测试厂于2005年12月投产，提供封装、终测服务，中芯国际和凸版印刷在上海成立的合资企业凸版中芯彩晶电子（上海）有限公司于2005年12月上海张江高科技园区投产，专注于生产制造芯载滤光片和微镜头。

2004年2月，中芯国际决定投资10亿美元在无锡新建一个芯片加工厂，该厂有望在2007年正式投入使用。2006年6月，中芯国际第二条12英寸集成电路生产线（也是中国中部地区第一座12英寸厂）在武汉市东湖国家高新技术区正式开工建设。项目计划于2007年底建成，2008年上半年投产，当年预计将实现产能1.25万片/月，到2009年产能将达到2.0-2.5万片/月。

产能：截至2005年第三季度按8英寸芯片换算为14万6000枚/月；北京工厂生产的12英寸晶圆为2万1600枚/月，占总产能约15%。中芯国际于2006年第一季度开始生产90纳米芯片。目前，正在研发65纳米芯片生产工艺。

7.2、上海宏力半导体

上海宏力半导造有限公司于2000年11月在上海浦东张江高科技园区动工兴建，2002年底开始生产，从事集成电路制造的工。上海宏力半导体是由多家海外科技公司汇集国际资金，总投资额高达16.3亿美元，建成的具有国际一流技术水平的高科技半导体集成电路芯片生产企业，在国内乃至国际的半导体芯片产业中占有举足轻重的地位。目前已建成2座按12英寸规格设计的厂房，一厂和二厂同时建成，其中一厂(目前为8英寸线)2003年投产，2004年底月产能达27,000片8英寸硅片，预计2006年底月产能可达10万片，可提供0.25/0.22/0.18/0.15微米工艺。二厂2005年投产，规划月产能为2.0万片。产品类型包括：逻辑、混合信号、射频、高压器件及掩模存储器、静态存储器、闪存等。2006年6月，为满足日本地区日益增长的代工业务需求，成立了宏力半导体日本分公司。

7.3、上海华虹NEC

上海华虹NEC电子有限公司由上海华虹集团、日本NEC、NEC（中国）于1997年7月共同投资7亿美元成立，总部设于上海浦东金桥出口加工区，1999年2月投产。2003年11月，美国捷智半导体和华虹集团增资华虹NEC。上海华虹NEC为中国集成电路制造业的领先者，也是中国最先进的集成电路制造企业之一。公司致力于集成电路产品的制造和研发，尤其擅长智能卡领域。公司基于先进的0.35-0.15微米存储器、逻辑、混合信号生产工艺，相继开发了嵌入式非易挥发存储器、高压、射频和CMOS图像传感等工艺。华虹NEC代客户加工的各种智能卡芯片（包括中国第二代居民身份证芯片）、LCD 显示器驱动芯片、电源控制芯片以及DRAM、MSRAM、FLASH等存储器芯片，被广泛应用于各种智能卡、通信、消费类电子产品和计算机等领域。

华虹NEC成立以来，已成功推出了0.35、0.25和0.18微米加工工艺。2005年3月，0.35微米OTP工艺投入生产；2005年6月，0.25微米eFlash工艺、0.18微米Logic和高压工艺投入生产；2005年7月，0.18微米混合信号工艺投入生产；2005年8月，0.35微米14伏高压工艺投入生产，成功开发0.25um嵌入式闪存记忆体；2005年10月，华虹NEC自主开发的0.18um工艺技术进入量产阶段。

公司拥有中国第一条8英寸代工生产线，目前月产8英寸硅片5万片。目前，华虹NEC正积极进行扩产计划，在张江高科技园区的二厂厂房已建造完成。

7.4、上海先进半导体

上海先进半导体前身为上海飞利浦半导体公司，成立于1988年10月，工厂位于上海漕河泾新兴技术开发区，1995年更名为上海先进半导造有限公司。作为中国最大的芯片制造企业之一，上海先进半导体已成为一流的半导体加工服务的提供者，尤其是在模拟

IC、功率和智能卡工艺领域，居于世界领先地位。上海先进半导体自2000年以来连续三年成为全球利润率最高的集成电路代工企业之一。据美国市场研究公司IC Insights报告指出，上海先进半导体是2004年全球十大芯片代工厂（数码及模拟）之一。公司为客户提供各类加工技术，包括模拟半导体的双极型、BiCMOS 及 HVMOS 加工技术、用于制造智能身份证的非挥发性存储内存技术。主要制造仿真半导体及双极型内容较高的混合讯号半导体。测试服务包括存储器电路、逻辑电路和混合信号电路的硅片测试以及硅片的磨片和切割。

公司现有5英寸和6英寸生产厂各一座（为应付客户对6英寸芯片的需求，公司自2003年12月起，不断将现有5英寸芯片产能转为6英寸产能，并于2005年2月将两厂的管理及经营合并，以提高效率）。5英寸厂使用的技术主要为双极型加工技术，最少线宽为1.5微米。6英寸厂使用的技术主要为BiCMOS及EEPROM技术，最少线宽为0.6微米。其8英寸0.25微米（2004年将工艺能力提升到0.18微米）生产线的新建厂房位于原厂区内，设计产能为每月30,000件，使用的技术主要为BiCMOS及EEPROM技术，最少线宽为0.25微米。截止2005年底，公司月产能约为28,000件5英寸芯片、51,000件6英寸芯片及12,000件 8英寸芯片。

7.5、和舰科技

和舰科技（苏州）有限公司位于苏州工业园区，成立于2001年11月，第一座晶圆制造厂总投资16亿美元，是一家具有雄厚外资的一流晶圆专工企业。2003年5月正式投产8英寸晶圆，产品主要以逻辑芯片和静态记忆体芯片为主。目前已导入0.25um/0.18um等先进的工艺技术，良率也达到了世界一流晶圆专工工厂水平。

工艺技术：和舰科技拥有尖端的集成电路工艺技术，已成功开发了0.5um-0.18um多种工艺技术：0.18um工艺技术、0.25um工艺技术、0.35um工艺技术、0.35um高压工艺技术、0.18-0.35um混合信号/射频电路工艺技术、非挥发性工艺技术、0.25um 嵌入式EEPROM工艺技术，并提供客户从设计服务、掩膜版制作、后段凸块生产及封装测试等生产协助与咨询及多项目晶圆服务。

近期和舰将引进0.15um/0.13um及纳米技术，研发更先进高阶晶圆工艺制造技术，并正在进行0.25um 2.5V/+-16V高压工艺和0.18um嵌入式闪存及EEPROM工艺技术的开发。

产能：第一条生产线规划月产能3.2万片，2004年3月月产能已达16000片，使和舰成为国内同行业中最短时间内实现这一目标的公司；第二条生产线于2003年底开始动工，2005年初开始投产，规划月产能2.0万片。若两条线全部满产，和舰科技第一座晶圆制造厂最大月产量可达60000片。

规划：和舰科技规划在10年内建立6座晶圆制造厂，总投资将超过100亿美元。届时和舰科技作为中国集成电路产业领航者的地位将完全确立。

8、半导体设备厂商 8.1、应用材料公司

应用材料公司成立于1967年，总部位于美国加州硅谷Santa Clara市，是全球最大的半导体设备制造商。公司产品几乎涉及全部半导体生产设备，如化学蒸发沉积设备、物理蒸发沉积设备、快速热处理设备、等离子刻蚀设备和离子注入设备。一室多腔的晶片加工平台是其产品的突出特点。

应用材料公司在13个国家和地区90多个地方设有办事机构和工厂。早在1984年，应用材料公司就在中国开始业务并成为第一个在中国的外资半导体生产设备供应商。应用材料公司1997年在中国注册成立了中国公司总部----应用材料中国公司，位于上海浦东张江高科技园区，并在北京、天津和无锡设有办事处和零配件仓库，将上海作为全球技术培训中心之一。在美国、欧洲设有研发和制造中心，在日本、韩国和有技术中心。为满足全球半导体市场的需求，公司还在北美、欧洲、日本、马来西亚、新加坡、韩国和开设办事处。

8.2、东京电子（TEL）

东京电子有限公司（Tokyo Electron Limited，简称TEL），成立于1963 年，是全球第二大半导体生产设备、液晶显示器生产设备供应商。公司总部设在日本东京都三鹰市，在全球有近30个分公司及80多个分支机构，在美国、欧洲、新加坡、中国等地设有分公司、研发基地或生产厂。世界上多数大型的半导体集成电路制造厂商都是TEL的客户，TEL为全球的半导体集成电路生产提供适用的生产设备。1996年TEL在设立了分公司----东京威力科创股份有限公司。在预测中国半导体生产设备将会伴随移动电话为首的IT相关设备快速普及后公司决定2003年3月在上海浦东张江高科技园区集成电路基地内建设新公司----东电半导体设备（上海）有限公司，计划2006年底开展半导造装置、FPD制造装置等相应业务。

8.3、ASML

作为光刻机垄断巨头的荷兰ASML（艾司摩尔）公司，成立于1984年，位于荷兰维荷芬(Veldhoven)，为世界级半导体设备制造商，专业从事先进的半导体处理设备的研发、生产、营销与服务，包括光刻机及特殊应用装置。ASML在全球各地设立了超过50个区域性销售和服务机构。ASML已兼并了另一光刻机垄断巨头----美国SVGL公司（SVGL是世界上第一个推出157 nm曝光设备的厂家）。

目前，ASML和日本尼康电机正在展开向半导体大厂德州仪器供应湿浸式芯片微影设备方面的竞争（德州仪器表示，德州仪器若想继续生产更薄的电子电路并缩小半导体尺寸，2007年前必须购买湿浸式微影设备）。

备注：目前国际上光刻机的制造几乎处于垄断地位，最大的三家生产商为荷兰ASML、日本尼康电机和日本佳能。2004年起，这几家公司就提供193nm浸入式光刻机样品供各大芯片制造商使用。至今，已开发出多种型号的193nm浸入式光刻机。

8.4、KLA-Tencor

美商科磊股份有限公司（KLA-Tencor）成立于1976年，为一世界级的专业半导体设备厂，专精于提升半导程良率及提供制程控管量测整体方案。产品系列包括软件、硬件、分析、服务及协助IC厂整体晶圆制程上专业化设计良率的管理，更提供市场整体良率及晶圆厂数据分析又包含在线晶圆瑕疵品的监控、光罩瑕疵检验、电子束、注记误差量测、薄模及表面量测等一系列产品服务。

目前分公司遍布美洲、欧洲、亚洲等十数国家。于1990年在成立了美商科磊分公司。

8.5、尼康精机（Nikon）

尼康精机成立于1917年，是世界知名的光学制造厂商，产品将超精密科技和最前沿的技术融于一体，赢得了全球客户的信任。产品涉及半导造装置光刻机、照相机、望远镜、眼镜、显微镜和电子图象设备等广泛领域。尼康精机在被誉为世界最精密机器的逐次移动式曝光装置（半导体生产不可或缺的重要装备）上占有全球最大的市场份额。

2002年8月，日本尼康株式会社投资在上海浦东外高桥保税区设立了上海尼康精机有限公司。这是尼康在上海的第一笔投资。该公司围绕逐次移动式曝光装置等半导体生产装置以及其他精密仪器、附属品和零部件，为客户提供全方位的仓储、配送、展示、技术咨询、人才培训等服务。尼康精机还在广东、北京、南京、杭州等地设有合资企业，现正在筹建尼康光学仪器(中国)有限公司。

尼康精机股份有限公司由日本尼康株式会社于1995年6月成立。主要负责销售尼康的IC制造用曝光机NSR系列及LCD面板制造用曝光机FX系列及其售后服务。

8.6、佳能（Canon）

佳能成立于1937年，总部位于日本东京，是全球领先的生产影像与信息产品的综合集团。其产品系列共分布于3大领域：个人产品、办公设备和工业设备，主要产品包括照相机及镜头、数码相机、打印机、复印机、传真机、扫描仪、广播设备、医疗器材及半导体生

产设备等。佳能半导体为世界级专业半导体及TFT- LCD设备供货商，其液晶五代设备目前全球市场占有率第一名。

佳能在美洲、欧洲、亚洲及日本设有4大区域性销售总部，在世界各地拥有子公司200家。佳能已在中国大连、珠海、苏州等地拥有12家独资公司和4家合资公司，其中包括2001年在苏州新区成立的佳能(苏州)有限公司，它是佳能目前在全球投资建成的最大工厂。1997年，佳能(中国)有限公司在北京成立，负责佳能公司在中国的投资及其它所有业务。佳能半导体设备股份有限公司（）于1997年由原来的代理商转型成为百分之百由日本佳能投资设立的海外分公司，直接进入市场。

2005年8月佳能收购了NEC的一家半导造设备公司----Anelva公司，同时以4,600万美元获得NEC Machinery公司%的股权，以扩大该公司在半导体设备市场的地位。Anelva公司和NEC Machinery公司都是日本芯片巨头NEC旗下公司。通过收购，佳能进入到新的前端和后端市场应用中，包括化学气相沉积(CVD)、die bonder、蚀刻等领域。目前佳能公司已经是世界第3大光刻工具制造商，仅名列ASML 和尼康公司之后。NEC Machinery生产die bonder、分拣、检测设备和其它产品。Anelva公司为硬盘、半导体和LCD制造提供CVD、PVD等相关生产设备。

佳能目前正在开发其最初的沉浸式光刻工具，但预计到2007年才能面市。ASML和尼康公司在沉浸式光刻工具领域领先于佳能。

8.7、大日本网屏（Dainippon Screen）

大日本网屏创立于1943年，其根源可追溯到1868年始创于日本京都的石田石版印刷厂，超过130年历史，现有分公司16家。大日本网屏是世界上唯一生产线图像制版器材、电子原件制造设备的综合制造厂商，也是全球半导体及液晶制造设备先进的制造商。大日本网屏一直专业发展超精密图像处理技术，与计算机、卫星通讯等连结，集照片、图形、文字等合并处理，缩短生产时间，化繁为简；电子设备方面，以集成电路版至液晶显示、印刷电路配线版以及太阳能电池等制造装置，均匠心独运，精益求精。大日本网屏作为世界顶尖的制版设备制造厂商，一向致力于生产质量可靠、质量卓越的印前制造设备。产品多元化，包括电分机、扫描仪、服务器、印前工作站、输出机、打样机和电子雕刻机等。

大日本网屏（中国）于1997年在设立总部，目前在北京、上海、广州均设有代表处，主要负责市场推广、提供客户售后服务和技术培训。

迪恩仕科技股份有限公司（）设于有硅谷之称的新竹，是大日本网屏设立的分公司。公司运用大日本网屏的精密影像处理技术，以提供半导体工业高效能的设备，其中高精密度影像设备、精密洗净设备以及膜厚测量设备在半导体业界获得了很高的评价。

8.8、美国诺发系统公司（Novellus）

美国诺发系统公司(Novellus Systems)于1984年成立于美国加州地区，是化学气体沉积、物理气体沉积、铜电镀、光阻与残留物处理等半导程设备制造商。随着电路尺寸的持续缩小，采用诺发系统生产的薄膜沉积与表面处理设备的半导体生产商与日俱增。如今，诺发系统为世界范围的半导体生产工业提供解决生产力和产品质量的解决方案。诺发系统所提供的工具与技术提升了芯片制造业者在技术和制造方面的目标。

8.9、科林研发（Lam Research）

科林研发公司（Lam Research）于1980年成立于美国加州硅谷，是全球电浆蚀刻设备的领先厂商，也是世界知名半导体生产设备制造商，主要从事半导体生产、开发、制造、销售及售后服务。公司产品有等离子刻蚀机，化学机械抛光及清洗设备等。四十多家子公司遍及、中国、日本、欧洲等世界各地。科林研发（）公司成立于1994年，为科林研发的亚太营运中心，主要负责半导体蚀刻机台及化学机械研磨机台的销售、维修与服务。1996年进驻新竹科学园区，建立全世界第三座技术研发中心及训练中心，1999年成立南科办事处，随后陆续成立林口与台中办事处。

五、 全球半导体产业技术现状及发展趋势

作为当今世界经济竞争的焦点,以集成电路为核心的半导体产业已日益成为经济发展的命脉、社会进步的基础、国际竞争的筹码和的保障。半导程工艺水平先后经历了5.0、3.0、1.0、0.8、0.5、0.35、0.25、0.18、0.15、0.13微米的发展，2004年开始进入90nm （0.09微米），2006年进入65nm时代，未来还将进入45nm、32 nm及以下时代。以集成电路为核心的半导体产业技术现状及发展趋势如下：

（1）设计工具与设计方法。随着集成电路复杂程度的不断提高，单个芯片容纳器件的数量急剧增加，其设计工具由最初的手工绘制转为计算机辅助设计（CAD），直至出现了现在专门的EDA（电子设计自动化）工具。目前，EDA工具为美国的Cadence、Synopsys和Mentor等少数企业所垄断。中国华大集成电路设计中心是国内唯一一家EDA开发和产品供应商。

由于整机系统不断向轻、薄、小的方向发展，集成电路结构也由简单功能转向具备更多和更为复杂的功能，如彩电由5片机到3片机直到现在的单片机，手机用集成电路也经历了由多片到单片的变化。目前，SoC作为系统级集成电路，能在单一硅芯片上实现信号采集、转换、存储、处理和I/O等功能，将数字电路、存储器、MPU、MCU、DSP等集成在一块芯片上实现一个完整系统的功能。它的制造主要涉及深亚微米技术、特殊电路的工艺兼容技术、设计方法的研究、嵌入式IP核设计技术、测试策略和可测性技术、软硬件协同设计技术和安全保密技术。SoC以IP复用为基础，将已有优化的子系统甚至系统级模块纳入到新的系统设计之中，实现了集成电路设计能力的第4次飞跃。

（2）制造工艺与相关设备。集成电路加工制造是一项与专用设备密切相关的技术,俗称“一代设备、一代工艺、一代产品”。在集成电路制造技术中，最关键的是薄膜生成技术和光刻技术。光刻技术的主要设备是曝光机和刻蚀机,目前在130nm的节点是以

193nmDUV(深紫外光微影)或是以光学延展248nmDUV为主要技术,而在l00nm的节点上则有多种选择：157nm DIJV、光学延展的193nm DLV（数字光阀）和NGL（下一代光刻技术）。在70nm的节点则使用光学延展的157nm DIJV技术或者选择NGL技术。到了35nm的节点范围以下，将是NGL（下一代光刻技术）所主宰的时代，需要在EUV（极紫外曝光）和EPL（电子束投影光刻技术）之间做出选择。此外，作为新一代光刻技术，X射线和离子投影光刻技术也在研究之中。

（3）测试。未来集成电路测试面临的最大挑战是如何降低测试成本。因此，结构测试、内置自测试和基于故障的测试，这三种测试方式可大大缩短测试开发时间和降低测试费用。

（4）封装。电子产品向便携式、小型化、网络化和多媒体化方向发展的市场需求对电路组装技术提出了苛刻需求，集成电路封装技术正在朝以下方向发展：①裸芯片技术。主要有COB(板上芯片封装)技术和Flip Chip(倒装片)技术两种形式。②微组装技术。是在高密度多层互连基板上，采用微焊接和封装工艺组装各种微型化片式元器件和半导体集成电路芯片,形成高密度、高速度、高可靠的三维立体机构的高级微电子组件的技术,其代表产品为多芯片组件(MCM)。③圆片级封装。其主要特征是：器件的外引出端和包封体是在已经过前工序的硅圆片上完成,然后将这类圆片直接切割分离成单个器件。 ④无焊内建层(Bumpless Build-Up Layer,BBUL)技术。该技术能使CPIJ内集成的晶体管数量达到10亿个，并且在高达20GHz的主频下运行,从而使CPU达到每秒1亿次的运算速度。此外,BBUL封装技术还能在同一封装中支持多个处理器,因此服务器的处理器可以在一个封装中有2个内核,从而比封装的双处理器获得更高的运算速度。此外,BBUL封装技术还能降低CPIJ的电源消耗,进而可减少高频产生的热量。

（5）材料。集成电路的最初材料是锗,而后为硅,一些特种集成电路(如光电器件)也采用三五族(如砷化镓)或二六族元素(如硫化镉、磷化铟)构成的化合物半导体。由于硅在电学、物理和经济方面具有不可替代的优越性,故目前硅仍占据集成电路材料的主流地位。鉴于在同样芯片面积的情况下，硅圆片直径越大，其经济性能就越优越，因此硅单晶材料的直径经历了1、2、3、5、6、8英寸的历史进程，目前，国内外加工厂多采用8英寸(200mm)和12英寸(300mm)硅片生产（2001年世界上首条12英寸硅圆片生产线问世），16英寸（400mm）和18英寸(450mm)的硅单晶及其设备正在开发之中，预计2012年全球半导体产业将迈入18英寸硅圆片时代。

此外，为适应高频、高速、高带宽的微波集成电路的需求，SoI材

料 (Silicon-on-Insulator，绝缘体上硅)、化合物半导体材料、锗硅、应力硅、第三代半导体材料氮化镓等材料的研发也有不同程度的进展。（注：目前SOI材料已开始在世界上被广泛使用，SOI材料约占整个半导体材料市场的30%左右，预计到2010年将占到50%左右）

（6）应用。应用是集成电路产业链中不可或缺的重要环节，是集成电路最终进入消费者手中的必经之途。除众所周知的计算机、通信、网络、消费类产品的应用外，集成电路正在不断开拓新的应用领域，诸如微机电系统、微光机电系统、生物芯片(如DNA芯片)、超导等。

（7）基础研究。基础研究的主要内容是开发新原理器件，包括：共振隧穿器件(RTD)、单电子晶体管(SET)、量子电子器件、分子电子器件、自旋电子器件等。技术的发展使微电子在21世纪进入了纳米领域，而纳电子学将为集成电路带来一场新的。