专利名称:用于在处理设备中分离功率域的系统和方法专利类型:发明专利
发明人:S·拉杰,S·R·钱德拉塞卡兰,邱立,A·特亚吉,M·菲利
普,R·弗玛
申请号:CN201780032333.4申请日:20170417公开号:CN109155300A公开日:20190104
摘要:一种系统,包括:被建立在半导体衬底上的处理核,处理核具有第一子核和第二子核,第一子核和第二子核中的每个核被配置为执行处理功能;以及多个功率轨,多个功率轨穿过处理核的尺寸并且从第一子核跨越到第二子核,功率轨中的每个功率轨被配置为向第一子核和第二子核提供操作电压,并且其中第一子核与第二子核之间的边界被不规则地成形,并且其中第一子核和第二子核中的每个子核与相应的功率域对应。
申请人:高通股份有限公司
地址:美国加利福尼亚州
国籍:US
代理机构:北京市金杜律师事务所
代理人:王茂华
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