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高增益高电源抑制比AB类运算放大器

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(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)实用新型专利

(21)申请号 CN201220099751.X (22)申请日 2012.03.16

(71)申请人 聚辰半导体(上海)有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区松涛路7弄12号

(10)申请公布号 CN202503479U

(43)申请公布日 2012.10.24

(72)发明人 蒋宇俊;张洪;杨清

(74)专利代理机构 上海信好专利代理事务所(普通合伙)

代理人 张静洁

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

()发明名称

高增益高电源抑制比AB类运算放大器

(57)摘要

本实用新型涉及一种高增益高电源抑

制比AB类运算放大器,作为输入端的第一部分设置有差分放大级,以及与所述差分放大级电路连接的跨导恒定控制电路;第二部分设置的折叠式共源共栅放大级,与所述第一部分的差分放大级电路连接,使所述第一、第二部分一起构成所述AB类运算放大器的第一级放大;第三部分设置的AB类偏置电路及轨对轨输出级,构成第二级放大;所述AB类运算放大器在5V标准CMOS工艺基础上设计,最低工作电压可以降低到1.6V。因此,

本实用新型具有高增益,高电源抑制比,低电压工作特性,并且能够保持放大器的低功耗特点。 法律状态

法律状态公告日

2012-10-24 2012-10-24 2019-03-15

法律状态信息

授权 授权

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

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授权 授权

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权利要求说明书

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说明书

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