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一种SEM样品制备方法

来源：吉趣旅游网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN2014101090.3 （22）申请日 2014.03.20

（71）申请人上海华力微电子有限公司

地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

（10）申请公布号 CN103926120A

（43）申请公布日 2014.07.16

（72）发明人郑春生;张志刚;徐灵芝;张文广（74）专利代理机构上海申新律师事务所

代理人吴俊

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

一种SEM样品制备方法

（57）摘要

本发明公开了一种SEM样品制备方法，涉

及继承电路制造领域。该方法为：提供一具有待填充沟槽的半导体结构，采用层间介质层高纵深比制程工艺对所述沟槽进行填充；进行热处理；酸液腐蚀形成SEM样品。采用本发明通过低温的热处理可以让ILD HARP更加致密，更能够抵抗氢氟酸HF的侵蚀。从而可以采用简单易行SEM方式和氢氟酸HF腐蚀处理的方式来评估缝隙填充效果，该方法适用于新型逻辑器件结构及其工艺集

成中。

法律状态

法律状态公告日

2014-07-16 2014-08-13 2016-11-23

公开

实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

法律状态信息

公开

法律状态

实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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