专利名称：一种铟钨金属镶嵌靶专利类型：实用新型专利
发明人：张群,章壮健,李喜峰,缪维娜,黄丽申请号：CN200520043480.6申请日：20050715公开号：CN2908530Y公开日：20070606
摘要：本实用新型是一种用于反应直流磁控溅射法制备掺钨氧化铟(IWO)透明导电氧化物薄膜的铟钨金属镶嵌靶。它由在纯度为99.99％的纯金属铟圆靶上均匀对称镶嵌纯金属钨丝构成，具体结构是，铟靶上有直径为1.0－3.5mm的小孔，小孔内镶嵌钨丝。本实用新型的镶嵌靶在制备新型透明导电氧化物薄膜以及新型光电器件领域具有良好的实用性。
申请人：复旦大学
地址：200433 上海市邯郸路220号
国籍：CN
代理机构：上海正旦专利代理有限公司
代理人：姚静芳
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