专利名称：半导体装置用接合引线专利类型：发明专利
发明人：宇野智裕,木村圭一,山田隆申请号：CN200880024022.4申请日：20081202公开号：CN101689519A公开日：20100331
摘要：本发明涉及半导体装置用接合引线。本发明的目的在于提供引线的表面性状、环路的直线性、环路高度的稳定性、引线的接合形状的稳定化优良也适用于细线化、窄间距化、长跨度化、三维安装等的半导体安装技术的高性能的接合引线。作为具有包括导电性金属的芯材、和在该芯材上以与芯材不相同的面心立方晶格的金属为主要成分的表皮层的半导体装置用接合引线，特征为：所述表皮层的表面中的长度方向的晶体取向中，<111>所占的比例为50％以上。
申请人：新日铁高新材料株式会社,株式会社日铁微金属
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市中咨律师事务所
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