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DS18B20流程图

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DS18B20内部结构:

主要由4部分组成:64 位ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的,它可以看作是该DS18B20的地址序列码,每个DS18B20的64位序列号均不相同。64位ROM的排的循环冗余校验码(CRC=X^8+X^5+X^4+1)。 ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同,这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的.

开始DS18B20复位写入跳过ROM操作指(0XCC)写入转换温度指令(0X44)延迟750-900微秒读取转换结果的低字节读取转换结果的高字节DS18B20复位整合低字节和高字节的数据是否为正数是否求反补一DS18B20复位写入跳过ROM操作指令(0XCC)写入读取ROM指令(0XEE)求得十进制值结束

DS18B20温度读取函数流程图

开始单片机拉低总线480-950微秒释放总线单片机读取总线低电平定时时间到?是是低电平?是复位成功释放总线

否DS18B20拉低信号应答定时60-240微秒否DS18B20复位流程图

单片机拉低电平10-15微秒写逻辑0?是否单片机持续拉低电平20-45微秒单片机拉高电平20-45微秒否写入了8个字节是释放总线 写字节函数流程图

单片机拉低电平1微秒单片机释放总线读取总线电平否读逻辑0?是DS18B20拉低电平DS18B20拉高电平否读入8个字节?是延长40-45微秒

读字节函数流程图

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