专利名称：NdFeB系烧结磁体专利类型：发明专利发明人：佐川真人,沟口彻彦申请号：CN201280021381.0申请日：20121227公开号：CN103797549A公开日：20140514
摘要：本发明提供一种NdFeB系烧结磁体，其为利用晶界扩散法制造的NdFeB系烧结磁体，其具有高矫顽力和矩形比，最大磁能积的降低少。本发明的NdFeB系烧结磁体的特征在于，其为通过晶界扩散处理而使附着在基材表面的Dy和/或Tb（以下，将“Dy和/或Tb”记为“R”）扩散到该基材内部的晶界的NdFeB系烧结磁体，所述基材是通过将NdFeB系合金的粉末进行取向、烧结而制造的，出现在附着有R的面的晶界中的R浓度C(wt%)与从前述附着面起深度3mm的晶界中的R浓度C(wt%)之差C-C为20wt%以下。
申请人：因太金属株式会社
地址：日本国京都府
国籍：JP
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
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