半导体器件

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带有磁性杂质的量子线中自旋相关传输=SpinDependentTransportthroughaQuantumWirewithMagneticImpurity刊,中/汪源//上海大学学报(英文版).2005,9(6).485488(E)

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多层InAs量子点的光致发光研究刊,中/孔令民//半导体光电.2005,26(6).519522,526(G)0608820

Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触刊,中/冯玉春//发enceonElectronDevices会,英/MinisteriodeEducacionyCiencia.P.620(E)

本会议录收集了会上发表的164篇论文,内容涉及光学控制GaAsMESFETsS参数分析模型,PN变容二极管分析模型,有机电子器件:综述与发展,高速晶体管,肖特基二极管电子传输与噪声,周期介电波导微波和光子器件设计,作为绝缘材料的氧化多孔硅特性,裂环谐振器,微波器件设计的关键粒子,生物电子器件,生物传感应用的光栅波导数字研究。

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单片RF带通跟踪与保持器件=MonolithicRFbandpasstrackandhold刊,英/N.T.Tchamov,P.Jarske//ElectronicsLetters.2003,39(2).180181(E)光学报.2005,26(6).757760(E)

通过环形传输线方法(CTLM),电流电压(IV)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了Ni层厚度和Ni层的高温退火对Ni/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了Ni/ITOpGaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化Ni金属层的方法。获得接触电阻率(Pc)小于9.5105cm2,透过率达到74%(470nm)的Ni/ITOpGaN电极。参10

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非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性刊,中/邓浩亮//发光学报.2005,26(6).753756(E)0608822

氮化物抛物量子阱中类氢杂质态能量刊,中/赵凤岐//发光学报.2005,26(6).719722(E)

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柱形量子线中体纵光学声子平均数刊,中/薛惠杰//发光学报.2005,26(6).714718(E)

考虑电子与体纵光学声子相互作用时,采用LLP变分方法,研究柱形量子线中极化子性质,导出了柱形量子线中极化子光学声子平均数随量子线截面半径和电子LO声子耦合强度的变化关系。结果表明柱形量子线中极化子的光学声子平均数随量子线截面半径减小而减小,随电子LO声子耦合强度增强而增加。参10

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抛物量子阱中束缚极化子的极化势和结合能刊,中/元丽华//发光学报.2005,26(6).709713(E)

0820半导体器件

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抛物量子线中弱耦合极化子的有效质量和光学声子平均数刊,中/丁朝华//发光学报.2005,26(6).704708(E)

IELDVD069:1005606088262005年西班牙电子器件会议录=2005SpanishConfer

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PLD在数字信号处理系统中的应用刊,中/王作斌//光电技术应用.2005,20(6).5255(D)

论述了目前数字电路系统中广泛使用的可编程逻辑器件PLD的特点及发展趋势。以LATTICE公司的可编程逻辑器件ispLSI1032为例,介绍了其在数字信号处理电路中的应用情况,分析了设计流程,提出了开发使用中需要注意的问题。参5

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超深亚微米器件的失效机理及其可靠性研究刊,中/侯志刚//电子质量.2005,(12).3942(D2)0608830

衍射光强分布规律数值模拟和测量刊,中/朱筱玮//西安工业学院学报.2005,25(6).561564(C2)0608831

50例微波器件失效分析结果汇总与分析刊,中/来萍//固体电子学研究与进展.2005,25(4).475480(D)

0821半导体二极管

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p型半导体量子阱的有效计算方法刊,中/薛舫时//固体电子学研究与进展.2005,25(4).427431,436(D)

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可见光谱发光二极管光子数缩减=Photonnumbersqueezinginvisiblespectrumlightemittingdiodes刊,英/P.LynamI.MahboobA.J.ParnellA.M.Fox//ElectronicsLetters.2003,39(1).110111

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采用点矩阵单输运光电二极管的短毫米波辐射产生=Generationofshortmillimetrewaveradiationusingdotmatrixunitravellingcarrierphotodiode刊,英/Y.ItohT.Nozokido//ElectronicsLetters.2003,39(1).6566(E)