铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层及其制备方法和应用[发明专利]

来源：吉趣旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层及其制备方法和应

用

专利类型：发明专利发明人：缪向水,黄醒

申请号：CN201310409032.2申请日：20130910公开号：CN1035182A公开日：20140115

摘要：本发明公开了一种制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层的方法，包括如下步骤：（1）采用贫铜铜铟镓硒靶材，溅射第一贫铜铜铟镓硒预置层；（2）采用富铜铜铟镓硒靶材，在第一贫铜铜铟镓硒预置层上溅射富铜铜铟镓硒预置层；（3）采用贫铜铜铟镓硒靶材，在富铜铜铟镓硒预置层上溅射第二贫铜铜铟镓硒预置层；（4）热处理得到铜铟镓硒吸收层；贫铜铜铟镓硒靶材中，铜原子与铟和镓原子数之和的比为0.5～1.0，即0.5≤Cu/(In+Ga)≤1.0；富铜铜铟镓硒靶材中，铜原子与铟和镓原子数之和的比为1.0～1.5，即1.0≤Cu/(In+Ga)≤1.5。该方法成膜质量好，制程简单，能耗低，污染小，可显著降低生产成本。

申请人：华中科技大学

地址：430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

国籍：CN

代理机构：华中科技大学专利中心

代理人：朱仁玲

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文