一种硒半导体薄膜的制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种硒半导体薄膜的制备方法专利类型：发明专利

发明人：尹行天,文森,陈武磊,阙文修申请号：CN201911075887.X申请日：20191106公开号：CN110863177A公开日：20200306

摘要：一种硒半导体薄膜的制备方法，首先清洗纯玻璃基片或ITO基片；其次将称量好的硒粉体的和基片放置在石英管的相应位置；然后对腔体抽真空，在较低温度下(接近室温)以一定升温速率给气氛炉升温，到达一定温度后，保温几分钟，保温结束立刻打开气氛炉上盖，使腔体快速降温冷却至室温后，将基片取出，完成薄膜沉积得到硒半导体薄膜，再将沉积得到的薄膜在空气气氛中一定温度下退火一定时间。本发明的优点是：(1)操作简单，重复性高，薄膜制备过程用时少、效率高，对实验设备及环境要求较低；(2)制备的硒半导体薄膜形貌规则、薄厚均匀。

申请人：西安交通大学

地址：710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

国籍：CN

代理机构：西安智大知识产权代理事务所

代理人：段俊涛

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