一种铜铟镓硒叠层薄膜太阳能电池及其制备方法[发明专利]

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专利名称：一种铜铟镓硒叠层薄膜太阳能电池及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：彭寿,徐根保,郭小佳,张建伟,韩福英,孙旭申请号：CN202011226682.X申请日：20201106公开号：CN112531048A公开日：20210319

摘要：本发明公开一种铜铟镓硒叠层薄膜太阳能电池，包括相串联的下电池与上电池，所述下电池包含基底，基底顶面由下至上依次层叠有Mo电极层、CIS膜层、CIGS膜层、下InS膜层、下i‑ZnO膜层与下AZO膜层；所述上电池包含带有通孔的玻璃基底，玻璃基底顶面由下至上依次层叠有ITO膜层、CGS膜层、上InS膜层、上i‑ZnO膜层与上AZO膜层；通孔内填充有连接下AZO膜层与上ITO膜层的导电介质；在制备时，各个膜层依次通过磁控溅射与蒸镀即可制得；该太阳能电池的转换效率高、量子效率高，能够显著提高开路电压和填充因子，提高电池效率，并且工艺简单、制备方便。

申请人：凯盛光伏材料有限公司

地址：233010 安徽省蚌埠市高新区燕南路1001号

国籍：CN

代理机构：安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙)

代理人：杨晋弘

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