等离子体增强化学气相沉积方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201110034775.7 （22）申请日 2011.02.09

（71）申请人 理想能源设备有限公司

地址 英属维京群岛托托拉岛罗德城三一会4301

（10）申请公布号 CN102634775A

（43）申请公布日 2012.08.15

（72）发明人 胡宏逵;马哲国;陈金元

（74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司

代理人 骆苏华

（51）Int.CI

C23C16/50; C23C16/24; H01L31/028; H01L31/18;

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

等离子体增强化学气相沉积方法

（57）摘要

本发明提供一种等离子体增强化学气相沉

积方法，包括：提供等离子体增强化学气相沉积设备，包括腔室，所述腔室内放置有待处理的基板；提供含氢气体和含硅气体；第一解离源用于对所述含氢气体进行解离获得氢活性基；第二解

离源用于对所述含硅气体进行解离获得含硅活性基；所述氢活性基与所述含硅活性基反应在所述待处理的基板上形成含硅薄膜；其中，所述第一解离源的功率大于所述第二解离源的功率。本发明中，第一解离源和第二解离源分别用于对含氢气体和含硅气体进行解离，且所述第一解离源的功率大于所述第二解离源的功率，可以同时充分解离含氢气体和含硅气体，最大程度的利用解离源的能量，提高沉积速率和薄膜质量。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2012-08-15 公开

2012-10-03 实质审查的生效

2013-03-27 专利申请权、专利权的转移 2015-03-11

发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态

公开

实质审查的生效

专利申请权、专利权的转移 发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书

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说明书

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